[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

第一导电层，所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管结构层上，所述第一导电层包括第一电极、触控走线和信号走线，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管连接；

感光二极管，所述感光二极管设置在所述第一电极上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述感光二极管和所述薄膜晶体管结构层，所述第一绝缘层上开设有第一开孔，所述第一开孔裸露出所述感光二极管；

第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一绝缘层上，所述第二导电层包括保护部、公共电极和电容器的部分，所述保护部设置在所述第一开孔内且与所述感光二极管相连；所述触控走线连接于所述公共电极，所述第一电极连接于所述电容器；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第二导电层，所述第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔，所述第二开孔裸露出所述保护部，所述第二开孔的深度小于所述第三开孔的深度；以及

第三导电层，所述第三导电层设置在所述第二绝缘层上，所述第三导电层包括第二电极和像素电极，所述第二电极通过所述第二开孔连接于所述保护部，所述第二电极连接于所述信号走线，所述像素电极通过所述第三开孔连接于所述第二薄膜晶体管的源极或漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护部设置在所述第一开孔内，并自所述第一开孔的周壁向所述第一开孔的外周延伸设定距离，所述设定距离小于或等于0.5微米。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光二极管与所述第一薄膜晶体管重叠设置。

4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管结构层上形成第一导电层，所述第一导电层包括第一电极、触控走线和信号走线，所述第一电极与所述第一薄膜晶体管连接；

在所述第一电极上形成感光二极管；

在所述感光二极管上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述薄膜晶体管结构层，所述第一绝缘层上开设有第一开孔，所述第一开孔裸露出所述感光二极管；

在所述第一绝缘层上形成第二导电层，所述第二导电层包括保护部、公共电极和电容器的部分，所述保护部设置在所述第一开孔内且与所述感光二极管相连；所述触控走线连接于所述公共电极，所述第一电极连接于所述电容器；

在所述第二导电层上沉积绝缘材料形成绝缘材料层；

对所述绝缘材料层对应于所述保护部和所述第二薄膜晶体管的源极或漏极的部分进行曝光和蚀刻处理，形成开设有第二开孔和第三开孔的第二绝缘层，所述第二开孔裸露所述保护部，所述第三开孔裸露所述第二薄膜晶体管的源极或漏极；所述第二开孔的深度小于所述第三开孔的深度；

在所述第二绝缘层上形成第三导电层，所述第三导电层包括第二电极和像素电极，所述第二电极通过所述第二开孔连接于所述保护部，所述第二电极连接于所述信号走线，所述像素电极通过所述第三开孔连接于所述第二薄膜晶体管的源极或漏极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述保护部设置在所述第一开孔内，并自所述第一开孔的周壁向所述第一开孔的外周延伸设定距离，所述设定距离小于或等于0.5微米。

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述感光二极管与所述第一薄膜晶体管重叠设置。