[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 202110333691.7 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113113437B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 宋德伟;艾飞;宋继越 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法,在阵列基板中,第一导电层设置在薄膜晶体管结构层上,第一导电层包括第一电极;感光二极管设置在第一电极上;第一绝缘层覆盖所述感光二极管,第一绝缘层上开设有第一开孔,第一开孔裸露出感光二极管;第二导电层包括保护部,保护部设置在第一开孔内且与感光二极管相连;第二绝缘层覆盖第一绝缘层,第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔,第二开孔裸露出保护部,第二开孔的深度小于第三开孔的深度;第三导电层设置在第二绝缘层上,第三导电层包括第二电极,第二电极通过第二开孔连接于保护部。本申请在感光二极管上形成一保护部,避免在曝光和蚀刻第三开孔的过程,降低感光二极管的性能。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
光学指纹识别技术利用光的折射和反射原理,当光照射到手指上,被手指反射到感光器件上,由于指纹谷和脊对光的反射不同,感光器件所接受到谷和脊的反射光强不同,然后再将光信号转换为电学信号,从而进行指纹识别。
在对现有技术的研究和实践过程中,本申请的发明人发现,目前,在光学指纹识别模块集成在面板中的制程中,由于感光器件设置在薄膜晶体管结构层之上,因此在绝缘叠层上同时形成不同孔深的开孔时,浅孔对应的器件长时间处于蚀刻中,导致器件的性能变差;比如对应于感光器件的浅孔和对应于感光器件下方的导电膜层的深孔,感光器件长时间处在曝光和蚀刻中,导致感光器件的性能变差。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法,用于在绝缘层上同时形成深孔和浅孔的制程中,达到保护浅孔对应的器件的效果。
本申请实施例提供一种阵列基板,其包括:
基板;
薄膜晶体管结构层,所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上,所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述薄膜晶体管结构层上,所述第一导电层包括第一电极,所述第一电极与所述第一薄膜晶体管连接;
感光二极管,所述感光二极管设置在所述第一电极上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述感光二极管和所述薄膜晶体管结构层,所述第一绝缘层上开设有第一开孔,所述第一开孔裸露出所述感光二极管;
第二导电层,所述第二导电层设置在所述第一绝缘层上,所述第二导电层包括保护部,所述保护部设置在所述第一开孔内且与所述感光二极管相连;
第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第二导电层,所述第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔,所述第二开孔裸露出所述保护部,所述第二开孔的深度小于所述第三开孔的深度;以及
第三导电层,所述第三导电层设置在所述第二绝缘层上,所述第三导电层包括第二电极,所述第二电极通过所述第二开孔连接于所述保护部。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述保护部设置在所述第一开孔内,并自所述第一开孔的周壁向所述第一开孔的外周延伸设定距离,所述设定距离小于或等于0.5微米。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述薄膜晶体管结构层包括第二薄膜晶体管,所述第三导电层包括像素电极,所述像素电极通过所述第三开孔连接于所述第二薄膜晶体管的源极或漏极。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一导电层还包括触控走线和信号走线,所述第二导电层包括公共电极和电容器的部分;所述触控走线连接于所述公共电极,所述第一电极连接于所述电容器;
所述第二电极连接于所述信号走线;所述像素电极连接于裸露的源极或漏极。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述感光二极管与所述第一薄膜晶体管重叠设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的