[发明专利]一种W波段毫米波芯片多层介质基板

权利要求书

1.一种W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于，包括：

第一地层(1)；

覆盖所述第一地层的第一介质层(2)；

覆盖所述第一介质层的第二地层(3)；

覆盖所述第二地层的第二介质层(4)；

覆盖所述第二介质层的控制层(5)；

覆盖所述控制层的第三介质层(6)；

覆盖所述第三介质层的电源层(7)；

覆盖所述电源层的第四介质层(8)；

覆盖所述第四介质层的第三地层(9)；

覆盖所述第三地层的第五介质层(10)；

覆盖所述第五介质层的射频层(11)；

覆盖所述射频层的第六介质层(12)；

覆盖所述第六介质层的第四地层(13)；

覆盖所述第四地层的第七介质层(14)；

覆盖所述第七介质层的天线层(15)；

所述第四地层通过垂直通孔实现与射频层的第二端的连接；射频层的第一端通过垂直通孔实现与第三地层、电源层、控制层、第二地层和第一地层的连接；

所述射频层为阻抗匹配结构，所述阻抗匹配结构为多段不同阻抗的微带线结构，微带线结构的一端连接射频层的第一端，另一端连接射频层的第二端；阻抗匹配结构的第一端处的第一端口阻抗为第四地层焊盘到第二射频层焊盘的第六介质垂直通孔输出端处的第二端口阻抗的共轭阻抗。

2.根据权利要求1所述的W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于，所述第四地层通过“焊盘-垂直通孔-焊盘”的方式实现与射频层第二端的连接；射频层的第一端设置第一射频层焊盘，并通过垂直通孔与第三地层焊盘、电源层焊盘、控制层焊盘、第二地层焊盘、第一地层焊盘连接，实现射频层第一端与第一地层的连接。

3.根据权利要求1所述的W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于，所述第四地层通过第四地层焊盘、第六介质垂直通孔和第二射频层焊盘，实现与射频层第二端的连接；射频层的第一端通过第一射频层焊盘、第五介质层垂直通孔、第三地层焊盘、第四介质垂直通孔、电源层焊盘、第三介质层垂直通孔、控制层焊盘、第二介质层垂直通孔、第二地层焊盘、第一介质层垂直通孔和第一地层焊盘，连接至第一地层。

4.根据权利要求1所述的W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于，所述垂直通孔和阻抗匹配结构周围设置屏蔽孔。

5.根据权利要求1所述的W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于，所述垂直通孔为信号传输柱。

6.根据权利要求1所述的W波段毫米波芯片多层介质基板，其特征在于，所述阻抗匹配结构的第一端口阻抗为第二端口阻抗的共轭阻抗。