[发明专利]一种深紫外LED器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110338892.6 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113113524A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 麦家儿;吴灿标;欧叙文;杨璐;李玉容 申请(专利权)人: 佛山市国星光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/60;H01L33/64
代理公司: 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 代理人: 胡文彬
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 深紫 led 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种深紫外LED器件,其特征在于,

包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构;

所述基板设有腔体,所述发光元件设于所述腔体内,所述耐紫外材料填充于所述腔体内,所述耐紫外材料的键能为450kJ/mol-900kJ/mol且大于所述发光元件所发出的紫外线的能量,所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面上,所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶,所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述石英透镜上设有台阶通孔,所述台阶通孔与所述腔体连通。

3.根据权利要求1所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述密封结构包括设于所述石英透镜的侧壁与所述台阶的侧壁之间的第一密封层和第二密封层,所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上,所述第二密封层密封于所述第一密封层上,所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。

4.根据权利要求2所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述密封结构包括设于所述台阶通孔内的第一密封层和第二密封层,所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上,所述第二密封层密封于所述第一密封层上,所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。

5.根据权利要求1所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述台阶的侧壁上设有金属镀层,所述石英透镜的侧壁上设有金属镀层。

6.根据权利要求1所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述石英透镜朝向所述耐紫外材料的一面为凸面或者平面,所述耐紫外材料朝向所述石英透镜的一面为凹面或者平面。

7.根据权利要求6所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述石英透镜的凸面的弧度大于0且小于1。

8.根据权利要求3或4所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述第一密封层为热固化胶水层,所述第二密封层为金属焊料层。

9.根据权利要求1所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述耐紫外材料为聚二甲基硅氧烷或者混有二氧化硅粉末的聚二甲基硅氧烷。

10.根据权利要求1所述的深紫外LED器件,其特征在于,

所述发光元件发出的紫外线波长为260nm-410nm。

11.一种深紫外LED器件制造方法,基于如权利要求1-10任意一项所述的深紫外LED器件,其特征在于,包括如下步骤:

在基板的腔体内填充耐紫外材料;

将石英透镜安装于基板上;

对基板和石英透镜之间进行密封,以形成密封结构。

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