[发明专利]一种深紫外LED器件及其制造方法

说明书

本申请实施例属于LED照明技术领域，涉及一种深紫外LED器件及其制造方法。本申请提供的深紫外LED器件包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构；所述基板设有腔体，所述发光元件设于所述腔体内，所述耐紫外材料填充于所述腔体内，所述耐紫外材料的键能大于发光元件所发出的紫外线的能量，所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶，所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面，所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。提高了器件的整体出光效率，提升了深紫外LED器件的散热效果，通过改善石英透镜结构，保证石英透镜和聚二甲基硅氧烷无间隙，确保聚二甲基硅氧烷和石英透镜之间不会产生气体，保证了密封性能以及可靠性。

技术领域

本申请涉及LED照明技术领域，更具体的说，特别涉及一种深紫外LED器件及其制造方法。

背景技术

由于紫外线尤其是深紫外对有机材料具有破坏作用，所以目前深紫外LED的封装主流结构为，在带腔体的金属或者陶瓷基板上面封装石英透镜。这种封装形式能比较大地减免了紫外线对有机材料的破坏作用，但这类方案存在一个明显的缺点，发光芯片发出光线是直接照射在空气或者保护气体当中，再经由石英透镜发出光线，这导致了光线从发光芯片发出后，照射到空气当中时由于全反射过多，导致了出光效率低下的情况，不利于器件的使用，以及影响器件的可靠性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种深紫外LED器件及其制造方法，解决现有深紫外LED出光效率低下的技术问题。

为了解决以上提出的问题，本发明实施例提供了如下所述的技术方案：

一种深紫外LED器件，包括基板、发光元件、石英透镜、耐紫外材料和密封结构；所述基板设有腔体，所述发光元件设于所述腔体内，所述耐紫外材料填充于所述腔体内，所述耐紫外材料的键能为450kJ/mol－900kJ/mol且大于所述发光元件所发出的紫外线的能量，所述石英透镜设于所述基板位于所述腔体的一面上，所述基板上设有供所述石英透镜安装的台阶，所述密封结构设于所述基板和石英透镜之间。

进一步地，所述石英透镜上设有台阶通孔，所述台阶通孔与所述腔体连通。

进一步地，所述密封结构包括设于所述石英透镜的侧壁与所述台阶的侧壁之间的第一密封层和第二密封层，所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上，所述第二密封层密封于所述第一密封层上，所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。

进一步地，所述密封结构包括设于所述台阶通孔内的第一密封层和第二密封层，所述第一密封层密封于所述耐紫外材料上，所述第二密封层密封于所述第一密封层上，所述第一密封层的密度低于所述耐紫外材料的密度。

进一步地，所述台阶的侧壁上设有金属镀层，所述石英透镜的侧壁上设有金属镀层。

进一步地，所述石英透镜朝向所述耐紫外材料的一面为凸面或者平面，所述耐紫外材料朝向所述石英透镜的一面为凹面或者平面。

进一步地，所述石英透镜的凸面的弧度大于0且小于1。

进一步地，所述第一密封层为热固化胶水层，所述第二密封层为金属焊料层。

进一步地，所述耐紫外材料为聚二甲基硅氧烷或者混有二氧化硅粉末的聚二甲基硅氧烷。

进一步地，所述发光元件发出的紫外线波长为260nm－410nm。

为了解决以上提出的技术问题，本发明实施例还提供了一种深紫外LED器件制造方法，采用了如下所述的技术方案：

一种深紫外LED器件制造方法，基于如上所述的深紫外LED器件，包括如下步骤：

在基板的腔体内填充耐紫外材料；

将石英透镜安装于基板上；

对基板和石英透镜之间进行密封，以形成密封结构。