[发明专利]光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统

权利要求书

1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，所述方法包括：

获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层；所述金属架空层为空桥结构；

将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；

响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；

将冲洗后的所述目标晶圆，以45度的角度置于第二温度的所述第一有机溶剂中；

将盛放第二温度的所述第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且盛放第二温度的所述第一有机溶剂容器的底部与所述超声清洗水面相接触；

基于指定超声功率对所述容器中的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；所述第二温度为22度；

响应于所述第二指定时长结束，将所述目标晶圆，以45度的角度放置到所述第二温度的第二有机溶剂中；

基于所述指定超声功率对所述目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；在进行第三指定时长的超声清洗的过程中，盛放所述第二温度的所述第二有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且底部与所述超声清洗水面相接触；

通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆，包括：

将溶剂去除后的所述目标晶圆立于纸面，以进行初步干燥处理；

响应于初步干燥处理结束，通过所述目标处理方式对所述目标晶圆进行进一步干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离心甩干是指以指定转速对所述目标晶圆离心旋转第四指定时长。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述指定转速为3000转/分钟。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第四指定时长为35秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一有机溶剂为Remover PG溶剂，所述第一温度为80℃，所述第一指定时长为96小时。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮溶剂，所述第一温度为85℃，所述第一指定时长为4小时。

8.一种光刻胶去除系统，其特征在于，所述系统包括：

晶圆获取装置，用于获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层；所述金属架空层为空桥结构；

水浴浸泡装置，用于将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；

冲洗装置，用于响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；

超声清洗装置，用于将冲洗后的所述目标晶圆，以45度的角度置于第二温度的所述第一有机溶剂中；将盛放第二温度的所述第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且盛放第二温度的所述第一有机溶剂容器的底部与所述超声清洗水面相接触；基于指定超声功率对所述容器中的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；所述第二温度为22度；

残留溶剂去除装置，用于响应于所述第二指定时长结束，将所述目标晶圆，以45度的角度放置到所述第二温度的第二有机溶剂中；基于所述指定超声功率对所述目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；在进行第三指定时长的超声清洗的过程中，盛放所述第二温度的所述第二有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，且底部与所述超声清洗水面相接触；

干燥处理装置，用于通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。