[发明专利]光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统

说明书

本申请关于一种用于光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，涉及芯片制备技术领域。该方法包括：获取表面具有光刻胶，且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆；将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗；在第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；响应于第二指定时长结束，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂；通过离心甩干的同时进行气体吹扫的方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标晶圆。通过上述方法，提高了光刻胶的处理效果，同时提高了获得的金属器件的产品质量。

技术领域

本申请涉及芯片制备技术领域，特别涉及光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统。

背景技术

在芯片的制备过程中，需要利用光刻胶构建相关组件，比如关键组件空桥；在相关组件制备完成后，需要将多余的光刻胶进行去胶处理。

在相关技术中，在对光刻胶进行去除时，通常采用干法去胶方法，比如采用plasma等离子打胶法对光刻胶进行去除，在通过干法去胶进行光刻胶去除时，需要通入高频电压，以触发光刻胶与其他离子之间反应，从而生成易除去的反应物，从而实现光刻胶的去除。

然而，在上述方法中，需要通入高频电压来触发相关反应的产生，在该过程中，会使得对高频电压会对组件产生轰击，从而对相关组件的表面或结构造成一定的损伤，使得获得的组件的产品质量较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，可以在提高光刻胶去除效果的同时，提高组件的产品质量，该技术方案如下：

一方面，提供了一种用于光刻胶去除方法，所述方法包括：

获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，所述金属架空层具有三维镂空结构；

将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；

响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；

在所述第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；

响应于所述第二指定时长结束，去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；

通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。

另一方面，提供了一种用于光刻胶去除系统，所述系统包括：

晶圆获取装置，用于获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，所述金属架空层具有三维镂空结构；

水浴浸泡装置，用于将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；

冲洗装置，用于响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；

超声清洗装置，用于在所述第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；

残留溶剂去除装置，用于响应于所述第二指定时长结束，去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；

干燥处理装置，用于通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。

在一种可能的实现方式中，所述超声清洗装置，用于将冲洗后的所述目标晶圆置于第二温度的所述第一有机溶剂中；