[发明专利]一种｛03-38｝面碳化硅外延及其生长方法有效
| 申请号： | 202110340247.8 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113073389B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;单卫平;朱明兰;胡新星;仇成功;袁松;张晓洪;史田超;史文华 | 申请（专利权）人： | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 03 38 碳化硅 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种｛03-38｝面碳化硅外延生长方法，其特征在于，所述生长方法包括以下步骤：
（1）对正轴｛03-38｝面SiC衬底进行原位刻蚀；
（2）通入H2、双（三甲基硅基）甲烷、N型掺杂剂和HCl，于1350～1550℃温度和50～500mbar压力下生长4H-SiC缓冲层；
（3）通入H2、双（三甲基硅基）甲烷、N型掺杂剂和HCl，于1350～1550℃温度和50～500mbar压力下在4H-SiC缓冲层上生长4H-SiC漂移层；
步骤（2）中，所述H2、双（三甲基硅基）甲烷、N型掺杂剂、HCl的流量分别为200～1000slm、100～300sccm、20～60sccm和50～100sccm；
步骤（3）中，所述H2、双（三甲基硅基）甲烷、N型掺杂剂、HCl的流量分别为200～1000slm、500～900sccm、10～30sccm、15～35sccm。
2.根据权利要求1所述的｛03-38｝面碳化硅外延生长方法，其特征在于，步骤（2）中，所述4H-SiC缓冲层的厚度为0.1～0.2μm。
3.根据权利要求1所述的｛03-38｝面碳化硅外延生长方法，其特征在于，步骤（2）中，所述4H-SiC缓冲层的掺杂浓度为1×1017～9×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的｛03-38｝面碳化硅外延生长方法，其特征在于，步骤（2）和步骤（3）中，N型掺杂剂为N2。
5.根据权利要求1所述的｛03-38｝面碳化硅外延生长方法，其特征在于，步骤（3）中，所述4H-SiC漂移层的厚度为5～200μm。
6.根据权利要求1所述的｛03-38｝面碳化硅外延生长方法，其特征在于，步骤（3）中，所述4H-SiC漂移层的掺杂浓度为1×1015～9×1016cm-3。
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