[发明专利]一种中子探测系统及其安装方法

权利要求书

1.一种中子探测系统，其特征在于：包括中子探测预设单元、中子探测单元和就地辐射处理单元；

所述中子探测预设单元包括预先设置在罐体上的慢化屏蔽体(1)和预先埋设在屏蔽墙体中的S预埋管(2)，以及设置在屏蔽室内的套管(3)；所述套管(3)的一端密封且位于慢化屏蔽体(1)内，所述套管(3)的另一端与位于屏蔽墙体内的S预埋管(2)的一端连接；

所述中子探测单元包括中子计数管(4)和电缆(5)，所述电缆(5)的一端通过快插接头(6)与中子计数管(4)连接，所述电缆(5)的另一端与就地辐射处理单元连接；

所述就地辐射处理单元设置在屏蔽墙体外的和缓环境中；

所述慢化屏蔽体(1)包括外壳(1-1)，所述外壳(1-1)的开口处设置有屏蔽盖板(1-2)，所述外壳(1-1)与屏蔽盖板(1-2)形成密封腔，所述套管(3)的一端位于密封腔内，位于密封腔内所述套管(3)的外侧设置有第一慢化层(1-5)，所述第一慢化层(1-5)的外侧设置有反射层(1-6)，所述反射层(1-6)与外壳(1-1)之间设置有第二慢化层(1-7)；所述反射层(1-6)包括多层金属材质，所述多层金属材质包括由内向外分层设置的第一铍铜层、铍层、镉层和第二铍铜层；

所述外壳(1-1)由外层钢板和内层钢板组成，并在内部灌铅，形成铅屏蔽层，能够有效屏蔽外部γ射线，抑制外部γ射线对中子计数管(4)的影响；所述第一慢化层(1-5)能够将快中子慢化为热中子，通过反射层(1-6)反射后汇集到中子计数管(4)，由中子计数管(4)实现对中子的计数测量；所述反射层(1-6)能够反射外侧面中子射线，收集探测面中子射线，能够有效提高探测面中子计数的探测效率；所述第二慢化层(1-7)能够有效屏蔽外侧面中子射线，抑制外侧面中子射线对中子计数管(4)的影响。

2.按照权利要求1所述的一种中子探测系统，其特征在于：所述套管(3)与S预埋管(2)的连接处设置有变径段。

3.按照权利要求1所述的一种中子探测系统，其特征在于：所述中子计数管(4)远离电缆(5)的一端连接有半球形端部。

4.按照权利要求1所述的一种中子探测系统，其特征在于：所述中子计数管(4)为He-3正比计数管。

5.按照权利要求1所述的一种中子探测系统，其特征在于：所述电缆(5)为铠装电缆。

6.按照权利要求5所述的一种中子探测系统，其特征在于：所述中子计数管(4)通过铠装电缆从屏蔽墙体外，穿过S预埋管(2)送入套管(3)位于慢化屏蔽体(1)内的一端内部。

7.按照权利要求1所述的一种中子探测系统，其特征在于：所述就地辐射处理单元包括微控制器(7)和均与微控制器(7)相接的实时时钟(8)、存储器(9)和通信接口(10)，所述微控制器(7)的输入端接有模拟量输入模块(11)、开关量输入模块(12)和数字键盘输入模块(13)，所述微控制器(7)的输出端接有模拟量输出模块(14)、开关量输出模块(15)、声光报警模块(16)和显示屏(17)。

8.一种中子探测系统的安装方法，其特征在于，对如权利要求1-7中任一项所述系统进行安装，所述方法包括以下步骤：

步骤一、布置中子探测预设单元；

将慢化屏蔽体(1)安装在罐体上，将套管(3)的一端安装在慢化屏蔽体(1)内，将套管(3)的另一端与预先埋设在屏蔽墙体中的S预埋管(2)连接；

步骤二、安装中子探测单元；

通过电缆(5)将中子计数管(4)从屏蔽墙体外，穿过S预埋管(2)送入套管(3)位于慢化屏蔽体(1)内的一端内部；

步骤三、安装就地辐射处理单元；

将就地辐射处理单元安装在屏蔽墙体外的和缓环境中；

步骤四、连接中子探测单元和就地辐射处理单元；

将电缆(5)连接至就地辐射处理单元中的开关量输入模块(12)上。