[发明专利]一种中子探测系统及其安装方法有效

专利信息
申请号: 202110342127.1 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113096836B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 曲广卫;刘朋波;聂晓强;薛超;王勇德;王俊超;牛玉宁;聂世宾 申请(专利权)人: 陕西卫峰核电子有限公司
主分类号: G21C11/08 分类号: G21C11/08;G21C17/10
代理公司: 西安启诚专利知识产权代理事务所(普通合伙) 61240 代理人: 李艳春
地址: 710118 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 中子 探测 系统 及其 安装 方法
【说明书】:

发明公开了一种中子探测系统及其安装方法,系统包括中子探测预设单元、中子探测单元和就地辐射处理单元;中子探测预设单元包括预先设置在罐体上的慢化屏蔽体和预先埋设在屏蔽墙体中的S预埋管,以及设置在屏蔽室内的套管;套管的一端密封且位于慢化屏蔽体内,套管的另一端与S预埋管连接;中子探测单元包括中子计数管和电缆,电缆的一端通过快插接头与中子计数管连接,电缆的另一端与就地辐射处理单元连接。本发明系统结构简单,设计合理,实现方便,能够有效应用在核辐射监测中,安全可靠性高,能够在探测环境条件严酷的情况下,准确采集到中子计数率,使用效果好,便于推广使用。

技术领域

本发明属于核辐射测量技术领域,具体涉及一种中子探测系统及其安装方法。

背景技术

在核工程中,为了确保人员安全,防止核辐射范围的扩大,通常将工艺罐体密封在由屏蔽墙体构成的屏蔽室内,然后还需对中子进行监测,但屏蔽室内γ剂量率水平最高可达192Gy/h,同时在放射性元素衰变时会释放出大量衰变热,导致中子探测环境条件严酷,人员操作区与工艺罐体距离较远,增加了中子探测系统的复杂程度以及前端探测器的安装难度,即需要将前端探测器从屏蔽墙体外安装到工艺罐体处,对前端探测器的连接电缆也提出了较高的需求,要求电缆要能够经受长时间、高剂量率的γ照射,且能够便于前端探测器的安装。

现有技术中,还缺乏结构简单,设计合理的能够满足前端探测器的探测需求和安装需求的中子探测系统。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种中子探测系统,其系统结构简单,设计合理,实现方便,能够有效应用在辐射监测中,安全可靠性高,能够在探测环境条件严酷的情况下,准确采集到中子计数率,使用效果好,便于推广使用。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种中子探测系统,包括中子探测预设单元、中子探测单元和就地辐射处理单元;所述中子探测预设单元包括预先设置在罐体上的慢化屏蔽体和预先埋设在屏蔽墙体中的S预埋管,以及设置在屏蔽室内的套管;所述套管的一端密封且位于慢化屏蔽体内,所述套管的另一端与位于屏蔽墙体内的S预埋管的一端连接;所述中子探测单元包括中子计数管和电缆,所述电缆的一端通过连接器与中子计数管连接,所述电缆的另一端与就地辐射处理单元连接;所述就地辐射处理单元设置在屏蔽墙体外的和缓环境中。

上述的一种中子探测系统,所述慢化屏蔽体包括外壳,所述外壳的开口处设置有屏蔽盖板,所述外壳与屏蔽盖板形成密封腔,所述套管的一端位于密封腔内,位于密封腔内所述套管的外侧设置有第一慢化层,所述第一慢化层的外侧设置有反射层,所述反射层与外壳之间设置有第二慢化层。

上述的一种中子探测系统,所述反射层包括多层金属材质,所述多层金属材质包括由内向外分层设置的第一铍铜层、铍层、镉层和第二铍铜层。

上述的一种中子探测系统,所述套管与S预埋管的连接处设置有变径段。

上述的一种中子探测系统,所述中子计数管远离电缆的一端连接有半球形端部。

上述的一种中子探测系统,所述中子计数管为He-3正比计数管。

上述的一种中子探测系统,所述电缆为铠装电缆。

上述的一种中子探测系统,所述中子计数管通过铠装电缆从屏蔽墙体外,穿过S预埋管送入套管位于慢化屏蔽体内的一端内部。

上述的一种中子探测系统,所述就地辐射处理单元包括微控制器和均与微控制器相接的实时时钟、存储器和通信接口,所述微控制器的输入端接有模拟量输入模块、开关量输入模块和数字键盘输入模块,所述微控制器的输出端接有模拟量输出模块、开关量输出模块、声光报警模块和显示屏。

本发明还公开了一种中子探测系统的安装方法,用于对上述的系统进行安装,所述方法包括以下步骤:

步骤一、布置中子探测预设单元;

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