[发明专利]基于惰性气体的防水痕半导体晶圆清洗装置及使用方法有效
申请号: | 202110344474.8 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN112735992B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 钱诚;李刚;童建 | 申请(专利权)人: | 亚电科技南京有限公司;江苏亚电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 210000 江苏省南京市江宁区双龙*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 惰性气体 防水 半导体 清洗 装置 使用方法 | ||
本发明涉及晶圆清洗技术领域,具体地说,涉及基于惰性气体的防水痕半导体晶圆清洗装置及使用方法。其包括清洗机构,清洗机构内至少包括支撑臂,支撑臂侧壁靠近顶部的位置固定连接有安装座,安装座上下两端表面上均开设有固定槽,安装座侧壁表面开设有与固定槽连通的限位螺孔,两个固定槽内均固定安装有清洗臂,清洗臂一端固定连接有旋转基座,旋转基座上表面开设有高度调节孔,旋转基座通过固定杆在安装座内旋转,实现对清洗臂的旋转调节,方便对晶圆进行单面独立清洗,实现了在双面清洗的需求的前提下,适用不同的晶圆夹具,实现对晶圆单面或双面进行选择性清洗,而不需要根据晶圆夹具更换清洗机构。
技术领域
本发明涉及晶圆清洗技术领域,具体地说,涉及基于惰性气体的防水痕半导体晶圆清洗装置及使用方法。
背景技术
晶圆在刻蚀完成后需要通过去离子水冲洗,传统的做法是将晶圆放置在槽体中,通过上方的喷头来冲洗,在对晶圆进行离子水冲洗后,需要对晶圆表面喷射惰性气体进行干燥,对污染物残留及水渍进行进一步的清理,防止水痕的产生,并通过晶圆旋转产生的离心力,辅助晶圆的进一步干燥。
而现有的晶圆清洗机构,只能对晶圆进行单面独立清洗,而晶圆在刻蚀完成后,正反两面均会出现污染物残留,因此需要一种能对晶圆进行双面冲洗的清洗机构,来满足对晶圆双面清洗的需求,但是双面的清洗机构对晶圆夹具的需求有一定的局限性,不能适用不同的晶圆夹具,导致在对晶圆进行单面或双面选择性清洗时,需要选用不同的清洗机构,导致企业成本的增加,因此本发明目的在于基于惰性气体的防水痕半导体晶圆清洗装置及使用方法,使清洗装置在实现对晶圆双面清洗的需求的前提下,可以适用不同的晶圆夹具,实现对晶圆单面或双面进行选择性清洗,而不需要根据晶圆夹具更换清洗机构。
发明内容
本发明的目的在于提供基于惰性气体的防水痕半导体晶圆清洗装置及使用方法,以解决对晶圆进行双面清洗需求的问题。
为实现上述目的,本发明目的在于,提供了基于惰性气体的防水痕半导体晶圆清洗装置,包括工作台和安装在工作台上的清洗机构和晶圆夹持件;
所述清洗机构内至少包括支撑臂,所述支撑臂侧壁靠近顶部的位置固定连接有安装座,所述安装座上下两端表面上均开设有固定槽,所述安装座侧壁表面开设有与所述固定槽连通的限位螺孔,所述限位螺孔内螺纹连接有锁紧螺母,通过所述锁紧螺母顶紧所述嵌套杆实现对所述固定杆的锁紧,两个所述固定槽内均固定安装有清洗臂,所述清洗臂上表面开设有与下表面贯穿的开槽,所述开槽内壁两侧开设有限位滑槽,所述开槽内通过限位滑槽卡接安装有冲洗件,所述清洗臂一端侧壁表面固定安装有清洗件,所述清洗臂一端固定连接有旋转基座,所述旋转基座上表面开设有高度调节孔,所述高度调节孔内卡接安装有固定杆;
本实施例的所述清洗机构在具体使用时,通过导水软管为水槽供给清洗液,并由冲洗喷嘴对旋转的晶圆表面进行喷洒,实现对晶圆表面污渍的冲洗,冲洗完毕,停止供水,通过导气管输送惰性气体,并由清洗喷嘴对旋转的晶圆表面进行清洗,将喷洒的液体冲刷至晶圆边缘,并通过旋转产生的离心力,将水渍甩离晶圆表面,防止水痕的产生。
所述晶圆夹持件内至少包括固定环,所述固定环侧壁两侧对称设置有承重臂,所述固定环侧壁一端固定连接有齿轮安装座,所述齿轮安装座下表面固定安装有电机,所述固定环内侧壁表面开设有旋转槽,所述旋转槽内壁上表面开设有嵌套槽,所述旋转槽内嵌套安装有夹持环,所述夹持环内侧壁两端对称安装有用于夹持晶圆的夹持弧板;
本实施例的所述晶圆夹持件在具体使用时,将晶圆放置于夹持环中心处,同时旋转两侧的螺杆,使上锲块向下移动的同时推动下锲块向夹持弧板一侧移动,使两侧的夹持弧板同时对晶圆进行夹紧,实现对晶圆的固定夹持。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造