[发明专利]光电转换装置、光电转换系统和移动物体在审
申请号: | 202110344940.2 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113473050A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 大贯裕介 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宋岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 系统 移动 物体 | ||
1.一种光电转换装置,其特征在于,包括:
第一芯片,具有第一半导体元件层,第一半导体元件层包括部署有多个像素电路的像素区域;以及
第二芯片,具有第二半导体元件层,
其中,第一芯片和第二芯片通过在第一半导体元件层和第二半导体元件层之间的多个金属接合部接合,
其中,所述多个金属接合部包括部署在平面图中与像素区域重叠的区域中的第一金属接合部和第二金属接合部,
其中,第一金属接合部连接所述多个像素电路中的至少任一个像素电路与第二半导体元件层,并且
其中,第二金属接合部在平面图中与像素区域重叠的区域中连接到所述多个像素电路中的至少任一个像素电路而不连接到第二半导体元件层。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置,
其中,第一布线图案和第二布线图案部署在第二半导体元件层和所述多个金属接合部之间,
其中,第一金属接合部连接到第一布线图案,并且
其中,第二金属接合部不连接到第二布线图案。
3.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,第二金属接合部的在第二半导体元件层的一侧的表面与绝缘材料接触。
4.根据权利要求1所述的光电转换装置,
其中,第一布线图案和第二布线图案部署在第二半导体元件层和所述多个金属接合部之间,
其中,第一金属接合部连接到第一布线图案,并且
其中,第二金属接合部连接到第二布线图案。
5.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,第二金属接合部的在第一半导体元件层的一侧的表面与通孔插塞接触。
6.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,第二金属接合部包括连接到第二布线图案的突出部。
7.一种光电转换装置,其特征在于,包括:
第一芯片,具有第一半导体元件层,第一半导体元件层包括部署有多个像素电路的像素区域;以及
第二芯片,具有第二半导体元件层,
其中,第一芯片和第二芯片通过在第一半导体元件层和第二半导体元件层之间的多个金属接合部接合,
其中,所述多个金属接合部包括部署在平面图中与像素区域重叠的区域中的第一金属接合部和第二金属接合部,
其中,第一金属接合部连接所述多个像素电路中的至少任一个像素电路与第二半导体元件层,并且
其中,第二金属接合部在平面图中与像素区域重叠的区域中连接到第二半导体元件层而不连接到所述多个像素电路中的任一个。
8.根据权利要求7所述的光电转换装置,
其中,第三布线图案和第四布线图案部署在第一半导体元件层和所述多个金属接合部之间,
其中,第一金属接合部连接到第三布线图案,并且
其中,第二金属接合部不连接到第四布线图案。
9.根据权利要求8所述的光电转换装置,其中,第二金属接合部的在第一半导体元件层的一侧的表面与绝缘材料接触。
10.根据权利要求7所述的光电转换装置,
其中,第三布线图案和第四布线图案部署在第一半导体元件层和所述多个金属接合部之间,
其中,第一金属接合部连接到第三布线图案,并且
其中,第二金属接合部连接到第四布线图案。
11.根据权利要求7所述的光电转换装置,其中,第二金属接合部的在第二半导体元件层的一侧的表面与通孔插塞接触。
12.根据权利要求8所述的光电转换装置,其中,第二金属接合部包括连接到第四布线图案的突出部。
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