[发明专利]芯片测试中载入trim值的方法

说明书

本发明公开了一种芯片测试中载入trim值的方法，针对存储器的存储单元，进行trimming bit值的写入，在进行trimming bit值的写入时，同时将一个trimming bit值写入到2个或者更多的存储单元中。在进行读取的时候，同时选中全部的写入所述的相同的trimming bit值的2个或更多个存储单元，由SA来判定所选中的全部的2个或更多的存储单元中存储的trimming bit值为“1”或者是为“0”，由于有更多的存储单元提供数据进行对比，提高了数据读取的窗口。存储单元中进行trimming bit值的写入时，还可以同时写入trimming bit值的反值，即原trimming bit值为“1”的情况下，同时写入其反值“0”；在读出数据时可进行读出后的相互比较验证。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路测试领域，特别是指一种芯片的测试方法，具体是指芯片测试中载入trim值的方法。

背景技术

在SONOS EEPROM或者Flash芯片测试时，时常需要对模拟量的dac值进行扫描，直至搜寻到合适的dac值，即修调(Trimming)测试。采用的方法是对于每颗测试芯片 的dac值扫描方式统一从0开始扫向末尾值。芯片IP评价往往需要对高温下个性化trim的值在常温或低温下设置，或对常温下个性化trim的值在高温或低温下设置，以此来评价改变温度对产品性能的影响。但由于单独IP脱离flash,没有存储个性化trim值的寄存器，而手动一个个die（晶圆上的晶粒）逐一设置数量多时间长，对于晶圆上的die，需要对die进行逐个调试并将所得的dac值进行手动设置，然后进行下一枚die的trimming，再将所得的dac值在进行手动设置，一直到最后一颗die。

SONOS EEPROM或者Flash，需要用到不同的模拟量，比如VPOS（用于擦写的正高压），VNEG（用于擦写的负高压），ITIM（用于产生读时序的电流），ISA（读数据时的参考电流）等，用于NVM的擦写读。

工厂在进行晶圆制程工艺的时候，同一晶圆上的不同die（晶粒），不同批次晶圆上的die，生产过程都会有差异，导致不同die间的模拟量值有差异。如果VPOS，VNEG电压有差异，会加大不同die的擦写程度；如果ITIM有差异，不同die的read timing（读时序）有差异；如果ISA有差异，不同die的差异会增大。差异太大，也可能导致擦写读失败。

因此所有die的模拟量都要可调，让不同die的模拟量基本相当。所有die有相同的擦写读条件，存储器的表现就会更加可靠。

一个模拟量对应3～5位的trimming bits，模拟量可以有8～32档可选。各trimming bits在CP1 trim（CP,探针测试）后确定，然后写入到SONOS NVM的特别字线special word line3（SWL3）。CP筛选后，SWL3禁止擦写，只允许读。一个SONOS cell中写入一位trim bit值，如图1所示，用SA来分辨是“1”cell（cell没有电流）还是“0”cell（cell有电流）。

只有载入trim值后，SONOS IP才允许进入各种工作模式。其工作模式才会满足芯片手册中规定的规格性能参数（SPEC）。

载入trim值，是在没有trim ITIM和ISA的情况下，把写在NVM SWL3中的正反trim值，可靠地读出来，载入到BIST（内建自测试技术）的寄存器内。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种芯片测试中载入trim值的方法，针对存储器的存储单元，进行trimming bit值的写入：

在进行trimming bit值的写入时，同时将一个trimming bit值写入到2个或者更多的存储单元中。