[发明专利]薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

有源层，布置于基板上，并且包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的导体层以及布置于所述导体层上的第二半导体物质层；

栅极绝缘层，布置于所述有源层上；以及

栅极电极，布置于所述栅极绝缘层上，并且至少一部分重叠于所述有源层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层中的至少一个包括氧化物半导体物质。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层包括InSnZnO半导体层、InSnGaZnO半导体层、InSnTiZnO半导体层中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层中的至少一个的厚度大于所述导体层的厚度。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述导体层的厚度为至

6.一种显示装置，包括：

第一薄膜晶体管，布置于基板上，并且包括第一有源层及第一栅极电极；以及

发光元件，与所述第一薄膜晶体管电连接，

其中，所述第一有源层包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的第一导体层以及布置于所述第一导体层上的第二半导体物质层。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层中的至少一个的厚度大于所述第一导体层的厚度。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，还包括：

第二薄膜晶体管，布置于所述基板上，并且包括第二有源层及第二栅极电极。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

所述第二有源层包括第三半导体物质层、布置于所述第三半导体物质层上并包括金属原子的第二导体层以及布置于所述第二导体层上的第四半导体物质层。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第三半导体物质层及所述第四半导体物质层中的至少一个的厚度大于所述第二导体层的厚度。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第一导体层及所述第二导体层中的至少一个的厚度为至

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第一半导体物质层至第四半导体物质层中的至少一个包括氧化物半导体物质。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，

所述第一半导体物质层至第四半导体物质层包括InSnZnO半导体层、InSnGaZnO半导体层、InSnTiZnO半导体层中的至少一个。

14.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

所述第二有源层为单层。

15.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

所述第二有源层包括硅半导体物质。

16.根据权利要求8所述的显示装置，其中，还包括：

存储电容器，布置于所述基板上，并且包括以相互重叠的方式布置的第一电极及第二电极；以及

驱动电压线，与所述存储电容器电连接，

其中，所述存储电容器存储与施加到所述驱动电压线的第一电压和施加到所述第二薄膜晶体管的第二电压之差对应的电压。