[发明专利]薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置。为了实现薄膜晶体管基板内载流子迁移率增加的薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置，本发明的薄膜晶体管基板包括：有源层，布置于基板上，并且包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的导体层以及布置于所述导体层上的第二半导体物质层；栅极绝缘层，布置于所述有源层上；以及栅极电极，布置于所述栅极绝缘层上，并且至少一部分重叠于所述有源层。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置。

背景技术

显示装置是可视地显示数据的装置。显示装置被用作诸如移动电话等的小型产品的显示器，也被用作诸如电视等的大型产品的显示器。

为了向外部显示图像，显示装置包括接收电信号而发光的多个像素。各个像素包括发光元件，例如对有机发光显示装置的情况而言，其包括有机发光二极管(OLED)作为发光元件。通常，有机发光显示装置在基板上形成薄膜晶体管及有机发光二极管，并且有机发光二极管通过自身发光来进行操作。

最近，随着显示装置的用途多样化，正尝试提高显示装置的质量的多样设计。

发明内容

本发明用于解决多种问题，其目的在于提供一种薄膜晶体管的载流子迁移率增加的薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置。然而，该技术问题仅为示例性的，本发明的范围并不局限于此。

根据本发明的一观点，提供一种薄膜晶体管基板，包括：有源层，布置于基板上，并且包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的导体层以及布置于所述导体层上的第二半导体物质层；栅极绝缘层，布置于所述有源层上；以及栅极电极，布置于所述栅极绝缘层上，并且至少一部分重叠于所述有源层。

根据一示例，所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层中的至少一个可以包括氧化物半导体物质。

根据一示例，所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层可以包括ITZO(InSnZnO)半导体层、InSnGaZnO半导体层、InSnTiZnO半导体层中的至少一个。

根据一示例，所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层中的至少一个的厚度可以大于所述导体层的厚度。

根据一示例，所述导体层的厚度可以为至

根据本发明的另一观点，提供一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，布置于基板上，并且包括第一有源层及第一栅极电极；以及发光元件，与所述第一薄膜晶体管电连接，其中，所述第一有源层包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的第一导体层以及布置于所述第一导体层上的第二半导体物质层。

根据一示例，所述第一半导体物质层及所述第二半导体物质层中的至少一个的厚度可以大于所述第一导体层的厚度。

根据一示例，还可以包括：第二薄膜晶体管，布置于所述基板上，并且包括第二有源层及第二栅极电极。

根据一示例，所述第二有源层可以包括第三半导体物质层、布置于所述第三半导体物质层上并包括金属原子的第二导体层以及布置于所述第二导体层上的第四半导体物质层。

根据一示例，所述第三半导体物质层及所述第四半导体物质层中的至少一个的厚度可以大于所述第二导体层的厚度。

根据一示例，所述第一导体层及所述第二导体层中的至少一个的厚度可以为至

根据一示例，所述第一半导体物质层至第四半导体物质层中的至少一个可以包括氧化物半导体物质。

根据一示例，所述第一半导体物质层至第四半导体物质层可以包括ITZO(InSnZnO)半导体层、InSnGaZnO半导体层、InSnTiZnO半导体层中的至少一个。