[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

背电极；

位于所述背电极一侧的导电衬底；

位于所述导电衬底背离所述背电极一侧的金属键合层；

位于所述金属键合层背离所述背电极一侧的ODR反射镜层，所述ODR反射镜层包括金属反射层及位于所述金属反射层背离所述背电极一侧的介质膜层，其中，所述ODR反射镜层包括多个第一通孔或多个第二通孔，所述第一通孔自所述ODR反射镜层背离所述背电极一侧起透过所述介质膜层，所述第二通孔自所述ODR反射镜层背离所述背电极一侧起透过所述介质膜层和所述金属反射层的叠层；

位于所述ODR反射镜层背离所述背电极一侧的外延层，所述外延层包括朝向所述背电极一侧的P型窗口层，所述P型窗口层包括主体层及与所述主体层相连的多个第一凸起或多个第二凸起，所述第一凸起位于所述第一通孔内且与所述金属反射层形成欧姆接触，所述第二凸起位于所述第二通孔内且与所述金属键合层形成欧姆接触；

及位于所述外延层背离所述背电极一侧的正电极。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凸起和所述第二凸起的掺杂浓度大于所述主体层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述ODR反射镜层包括所述第一通孔时，所述金属反射层为Au金属反射层；

所述ODR反射镜层包括所述第二通孔时，所述金属反射层为Ag金属反射层，所述金属键合层为Au金属键合层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型窗口层的厚度范围为0.1-11μm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层的裸露表面为粗化表面。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层包括所述P型窗口层；

位于所述P型窗口层背离所述背电极一侧的P型限制层；

位于所述P型限制层背离所述背电极一侧的有源层；

位于所述有源层背离所述背电极一侧的N型限制层；

位于所述N型限制层背离所述背电极一侧的N型电流扩展层；

位于所述N型电流扩展层背离所述背电极一侧的N型粗化层；

及位于所述N型粗化层背离所述背电极一侧的N型欧姆接触层，所述正电极位于所述N型欧姆接触层背离所述背电极一侧。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层为AlGaInP基外延层，所述P型窗口层为P型GaP窗口层；

或者，所述外延层为AlGaAs基外延层，所述P型窗口层包括叠加的P型AlGaAs电流扩展层和P型GaP欧姆接触层，其中，所述第一凸起和所述第二凸起由所述P型GaP欧姆接触层形成，且所述主体层为所述P型AlGaAs电流扩展层。