[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

说明书

本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，所述ODR反射镜层包括金属反射层及位于所述金属反射层背离所述背电极一侧的介质膜层，其中，所述ODR反射镜层包括多个第一通孔或多个第二通孔；所述P型窗口层包括主体层及与所述主体层相连的多个第一凸起或多个第二凸起，所述第一凸起位于所述第一通孔内且与所述金属反射层形成欧姆接触，所述第二凸起位于所述第二通孔内且与所述金属键合层形成欧姆接触。本发明制作发光二极管时采用Lift‑off工艺实现P型窗口层的凸起与ODR反射镜层的自对准。本发明提供的技术方案，保证发光二极管的可靠性高，同时能够解决填充金属材料所带来的制备成本高、工艺流程复杂的问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种发光二极管及其制作方法。

背景技术

随着发光二极管技术的发展，现有发光二极管被广泛应用于电子、光学等领域，更是在照明、显示、数码方面有着长足的发展。并且，随着LED(Light Emitting Diode，发光二极管)应用端的逐渐扩大，市场对LED性能的要求也越来越高。因此，现今发光二极管的可靠性有待提高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，提高了发光二极管的可靠性。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种发光二极管，包括：

背电极；

位于所述背电极一侧的导电衬底；

位于所述导电衬底背离所述背电极一侧的金属键合层；

位于所述金属键合层背离所述背电极一侧的ODR反射镜层，所述ODR反射镜层包括金属反射层及位于所述金属反射层背离所述背电极一侧的介质膜层，其中，所述ODR反射镜层包括多个第一通孔或多个第二通孔，所述第一通孔自所述ODR反射镜层背离所述背电极一侧起透过所述介质膜层，所述第二通孔自所述ODR反射镜层背离所述背电极一侧起透过所述介质膜层和所述金属反射层的叠层；

位于所述ODR反射镜层背离所述背电极一侧的外延层，所述外延层包括朝向所述背电极一侧的P型窗口层，所述P型窗口层包括主体层及与所述主体层相连的多个第一凸起或多个第二凸起，所述第一凸起位于所述第一通孔内且与所述金属反射层形成欧姆接触，所述第二凸起位于所述第二通孔内且与所述金属键合层形成欧姆接触；

及位于所述外延层背离所述背电极一侧的正电极。

可选的，所述第一凸起和所述第二凸起的掺杂浓度大于所述主体层的掺杂浓度。

可选的，所述ODR反射镜层包括所述第一通孔时，所述金属反射层为Au金属反射层；

所述ODR反射镜层包括所述第二通孔时，所述金属反射层为Ag金属反射层，所述金属键合层为Au金属键合层。

可选的，所述P型窗口层的厚度范围为0.1-11μm，包括端点值。

可选的，所述外延层的裸露表面为粗化表面。

可选的，所述外延层包括所述P型窗口层；

位于所述P型窗口层背离所述背电极一侧的P型限制层；

位于所述P型限制层背离所述背电极一侧的有源层；

位于所述有源层背离所述背电极一侧的N型限制层；

位于所述N型限制层背离所述背电极一侧的N型电流扩展层；

位于所述N型电流扩展层背离所述背电极一侧的N型粗化层；

及位于所述N型粗化层背离所述背电极一侧的N型欧姆接触层，所述正电极位于所述N型欧姆接触层背离所述背电极一侧。