[发明专利]一种芯片的制造方法、制造设备和芯片

权利要求书

1.一种芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：

将磷源和硅片层叠放置，使所述磷源扩散至所述硅片，在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；

去除经所述磷扩散后的所述硅片的其中一面上的所述磷扩散结构层并进行抛光处理；

将镓源涂布在去除所述磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层；

将硼源涂布在所述硅片形成有镓扩散结构层的一面上，以进行硼扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；

对所述硅片含有硼扩散结构层的一面进行抛光处理；

将铂源涂布在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面上，以进行铂扩散，从而使得铂原子均匀的分布在所述硅片内；

采用经过所述铂扩散后的硅片制备得到芯片；

其中，先进行所述镓扩散，控制所述镓扩散的扩散时间为5至7小时，待所述镓扩散结束后进行所述硼扩散；

对进行硼扩散后形成硼扩散结构层的一面进行抛光处理后的硅片的厚度比抛光前的厚度小3-5微米。

2.如权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，在所述将镓源涂布在去除所述磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层的步骤中，在进行镓扩散，以形成所述镓扩散结构层的所需温度控制在1200-1300℃。

3.如权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，在通过在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面进行抛光以进行铂扩散的步骤后包括：

在一预设温度范围内进行铂深扩散；

其中，所述铂深扩散时的所述预设温度控制在800-950℃。

4.如权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，在所述去除经所述磷扩散后的所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层的步骤中包括：

通过喷砂去除磷扩散结；

将去除磷扩散结的硅片的一面进行抛光处理，抛光后的所述硅片的厚度控制在235-245微米。

5.如权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述将硼源涂布在所述硅片形成有镓扩散结构层的一面上，以进行硼扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层的步骤包括：

对所述硅片含有硼扩散结构层的一面进行抛光处理；

对抛光后的硅片使用混酸进行清洗；

其中，所述混酸包括有硫酸、醋酸、氢氟酸和硝酸。

6.一种芯片，其特征在于，使用如权利要求1-5任意一项所述的芯片的制造方法制得，所述芯片包括：

磷区，为所述芯片的阴极；

基区，设置在所述磷区上；

镓硼区，设置在所述基区上，为所述芯片的阳极；

其中，所述镓硼区包括镓结和硼结。

7.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，其中，所述镓硼区包括硼层和镓硼层，所述硼层包括硼结，所述镓硼层包括硼结和镓结。

8.一种芯片的制造设备，其特征在于，包括：

多个不同的扩散装置，分别实现硅片的磷扩散、镓扩散、硼扩散以及铂扩散；

其中，所述芯片的制造设备实现如所述权利要求1至5任意一项所述的芯片的制造方法。