[发明专利]一种芯片的制造方法、制造设备和芯片

说明书

本申请公开了一种芯片的制造方法、制造设备和芯片，所述制造方法包括步骤：将磷源和硅片层叠放置，使磷源扩散至硅片，在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；去除经磷扩散后的所述硅片的其中一面上的所述磷扩散结构层；将镓源涂布在去除磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层；将硼源涂布在所述硅片形成有镓扩散结构层的一面上，以进行硼扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；将铂源涂布在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面上，以进行铂扩散；在硼扩散前先进行镓扩，使得硼结形成的结深平缓，改善现有的芯片的电压离散性和压降特性。

技术领域

本发明涉及的是半导体技术领域，尤其是涉及一种芯片的制造方法、制造设备和芯片。

背景技术

现代电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，都需要一个与之并联的功率快恢复二极管，以通过负载中的无功电流，减小主开关器件电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向时由寄生电感感应产生的高电压。

半导体芯片的生产工艺需要在硼扩后、GPP生产前进行铂扩处理，对配置好的铂源需要进行搅拌、涂匀，然后将芯片装舟、进炉、出炉、冷却，因现有工艺中磷扩散后直接进行硼扩，产生的结深不平缓，导致芯片的电压离散性大，压降特性差等问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种芯片的制造方法、制造设备和芯片，改善因生产工艺而导致的芯片电压离散性大、压降性差问题，使得整片芯片电压分部更加均匀，改善产品特性。

本申请公开了一种芯片的制造方法，包括步骤：

将磷源和硅片层叠放置，使所述磷源扩散至所述硅片，在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；

去除经所述磷扩散后的所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层；

将镓源涂布在去除所述磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层；

将硼源涂布在所述硅片形成有镓扩散结构层的一面上，以进行硼扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；

将铂源涂布在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面上，以进行铂扩散；

采用经过所述铂扩散后的硅片制备得到芯片。

可选的，在所述将镓源涂布在去除所述磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层的步骤中，在进行镓扩散，以形成所述镓扩散结构层的温度控制在1200-1300℃。

可选的，所述将镓源涂布在去除所述磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层的步骤中，控制所述镓扩散的扩散时间为5至 7小时。

可选的，所述将铂源在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面上，以进行铂扩散的步骤中包括：

通过在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面进行抛光。

可选的，在所述通过在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面进行铂离子注入以进行铂扩散的步骤后包括：

在一预设温度范围内进行铂深扩散；

其中，所述铂深扩散时的所述预设温度控制在800-950℃。

可选的，在所述去除经所述磷扩散后的所述硅片的其中一面的所述磷扩散结构层的步骤中包括：

通过喷砂去除磷扩散结；

将去除磷扩散结的硅片的一面进行抛光处理，抛光后的所述硅片的厚度控制在235-245微米。