[发明专利]一种织构化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和应用

说明书

本发明实施例公开了一种织构化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和应用，涉及氮化硅陶瓷基板制备技术领域。所述方法应用于织构化氮化硅陶瓷中，所述方法包括：通过电镀金刚石线锯沿着与所述织构化氮化硅陶瓷的织构化方向垂直的方向将所述织构化氮化硅陶瓷切割为织构化氮化硅陶瓷基板。本发明实施例中，通过电镀金刚石线锯沿着与所述织构化氮化硅陶瓷的织构化方向垂直的方向将所述织构化氮化硅陶瓷切割为织构化氮化硅陶瓷基板，由此得到的织构化氮化硅陶瓷基板的厚度方向与其织构化方向一致，从而具备了更好的导热性能，其热导率超过100m^‑1﹒k^‑1，同时所述织构化氮化硅陶瓷基板的表面粗糙度小于0.1μm，从而能够满足电子器件基板对高导热性的要求。

技术领域

本发明涉及氮化硅陶瓷基板制备技术领域，尤其涉及一种织构化氮化硅陶瓷基板及其切割方法和应用。

背景技术

目前，人们对陶瓷基板的材料的导热性能的要求越来越高，传统的流延成型方法制备的陶瓷基板只能达到60W·m^-1k^-1。

织构化氮化硅陶瓷相较于无织构化氮化硅陶瓷，拥有着更优秀的性能，包括强度、硬度、热导率方面。

传统的氮化硅陶瓷的导热率较低，限制了其作为电子元器件基板的应用。因此，如何切割得到高热导率的氮化硅陶瓷基板，成为本领域亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是如何切割高热导率的氮化硅陶瓷基板。

为了解决上述问题，第一方面，本发明实施例提出一种基于电镀金刚石线锯切割织构化氮化硅陶瓷基板的方法，所述方法应用于织构化氮化硅陶瓷中，所述方法包括：通过电镀金刚石线锯沿着与所述织构化氮化硅陶瓷的织构化方向垂直的方向将所述织构化氮化硅陶瓷切割为织构化氮化硅陶瓷基板。

其进一步的技术方案为，所述织构化氮化硅陶瓷固定于所述电镀金刚石线锯的载物台上，所述织构化氮化硅陶瓷的织构化方向与所述电镀金刚石线锯的金刚石线垂直。

其进一步的技术方案为，所述电镀金刚石线锯的工件进给速度设定为0.08mm/min-0.12mm/min。

其进一步的技术方案为，所述电镀金刚石线锯的锯丝线速度设定为30-35m/s。

其进一步的技术方案为，所述电镀金刚石线锯的金刚石线的张紧力设定为27N-30N。

其进一步的技术方案为，所述电镀金刚石线锯的金刚石线的摆动角度设定为7-9°。

其进一步的技术方案为，所述电镀金刚石线锯的金刚石线的金刚石的目数为300-400目。

第二方面，本发明实施例提出一种织构化氮化硅陶瓷基板，所述织构化氮化硅陶瓷基板由第一方面所述的基于电镀金刚石线锯切割织构化氮化硅陶瓷基板的方法制备。

其进一步的技术方案为，所述织构化氮化硅陶瓷基板的热导率超过100m^-1·k^-1，所述织构化氮化硅陶瓷基板的表面粗糙度小于0.1μm。

第三方面，本发明实施例提供如第二方面所述的织构化氮化硅陶瓷基板在电子器件基板中的应用。

与现有技术相比，本发明实施例所能达到的技术效果包括：

本发明实施例中，通过电镀金刚石线锯沿着与所述织构化氮化硅陶瓷的织构化方向垂直的方向将所述织构化氮化硅陶瓷切割为织构化氮化硅陶瓷基板，由此得到的织构化氮化硅陶瓷基板的厚度方向与其织构化方向一致，从而具备了更好的导热性能，其热导率超过100m^-1·k^-1，同时所述织构化氮化硅陶瓷基板的表面粗糙度小于0.1μm，从而能够满足电子器件基板对高导热性的要求。

附图说明