[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

沟槽，位于所述衬底内；

位线接触结构，位于所述沟槽内，且所述位线接触结构的上表面低于所述衬底的上表面，所述位线接触结构沿第一方向延伸；

位线结构，位于所述位线接触结构上，且至少部分位于所述沟槽内；

位线保护结构，包括顶层介质层及侧墙结构，所述顶层介质层位于所述位线结构上，与所述位线结构共同构成叠层结构；所述侧墙结构覆盖所述叠层结构位于所述衬底上的部分的侧壁，所述侧墙结构内具有第一空气间隙；

隔离图形结构，所述隔离图形结构内具有第二空气间隙，所述隔离图形结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，以于相邻所述位线保护结构之间及相邻所述隔离图形结构之间形成电容接触孔；

其中，所述侧墙结构还包括：侧壁介质层，位于所述叠层结构位于所述衬底上的部分的侧壁外侧；所述第一空气间隙位于所述侧壁介质层与所述叠层结构之间；第一空气间隙和第二空气间隙形成围绕电容接触孔的闭环。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括侧壁保护层，覆盖所述沟槽的侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述位线接触结构及所述位线结构填满所述沟槽。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构的上表面与所述衬底的上表面相平齐。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

电容接触结构，位于所述电容接触孔内。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离图形结构还包括：

第一介质层；

第二介质层，位于所述第一介质层相对的两侧；所述第二空气间隙位于所述第一介质层与所述第二介质层之间。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容接触结构的上表面低于所述顶层介质层的上表面，所述半导体结构还包括导电填充层，位于所述电容接触结构上。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

隔离介质结构，位于相邻位线保护结构之间，包括隔离介质层和隔离侧墙结构，隔离介质层位于所述衬底上，所述隔离侧墙结构覆盖所述隔离介质层的侧壁，所述隔离侧墙结构内具有第三空气间隙，所述隔离介质结构沿第一方向延伸，相邻所述位线保护结构与隔离介质结构之间及相邻隔离图形结构之间形成所述电容接触孔。

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

于所述衬底内形成沟槽；

于所述沟槽内形成位线接触结构，所述位线接触结构的上表面低于所述衬底的上表面，所述位线接触结构沿第一方向延伸；

于所述位线接触结构上形成位线结构，所述位线结构至少部分位于所述沟槽内；

于所述位线结构上形成顶层介质层，所述顶层介质层与所述位线结构共同构成叠层结构；

形成侧墙结构，所述侧墙结构覆盖所述叠层结构位于所述衬底上的部分的侧壁，所述侧墙结构内具有第一空气间隙；所述侧墙结构及所述顶层介质层构成位线保护结构；

形成隔离图形结构，所述隔离图形结构内具有第二空气间隙，所述隔离图形结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，相邻所述位线保护结构之间及相邻所述隔离图形结构之间形成电容接触孔；

其中，所述侧墙结构还包括：侧壁介质层，位于所述叠层结构位于所述衬底上的部分的侧壁外侧；所述第一空气间隙位于所述侧壁介质层与所述叠层结构之间；第一空气间隙和第二空气间隙形成围绕电容接触孔的闭环。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，于所述沟槽内形成所述位线接触结构之前还包括：

于所述沟槽的侧壁形成侧壁保护层。