[发明专利]相变存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和选通层；

阻挡结构，覆盖所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁，用于阻挡氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层；

所述相变存储单元还包括：

至少三个电极层，沿垂直于衬底的第一方向层叠设置；其中，所述选通层位于第一个所述电极层和第二个所述电极层之间，所述相变存储层位于第二个所述电极层和第三个所述电极层之间；

所述阻挡结构，至少覆盖一个所述电极层的侧壁；其中，覆盖所述电极层侧壁的阻挡结构，与覆盖所述相变存储层侧壁以及所述选通层侧壁的阻挡结构，沿所述第一方向电隔离设置。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述相变存储器包括沿平行于所述衬底方向并列排布的多个所述相变存储单元，所述相变存储器还包括：

第一隔离结构，沿所述第一方向延伸，覆盖所述至少三个电极层的侧壁和所述阻挡结构，用于电隔离相邻的所述相变存储单元。

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括：

第二隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离和/或热隔离相邻的所述相变存储单元；其中，所述第二隔离结构、所述第一隔离结构、所述阻挡结构以及所述相变存储单元，沿平行于所述衬底的第二方向并列设置；

所述阻挡结构，具体用于阻挡所述第二隔离结构形成过程中产生的氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，

所述阻挡结构，用于驱动所述氧粒子向远离所述相变存储层和所述选通层的方向移动，以阻挡所述氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述阻挡结构的厚度不大于0.4nm。

6.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述阻挡结构的组成材料包括：钌或铂。

7.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成相变存储单元；其中，所述相变存储单元包括层叠设置的相变存储层和选通层；

形成阻挡结构；其中，所述阻挡结构，覆盖所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁，用于阻挡氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层；

所述相变存储单元还包括：至少三个电极层；所述相变存储器包括沿平行于衬底方向并列排布的多个所述相变存储单元；

所述形成相变存储单元，包括：

沿垂直于所述衬底所在平面的第一方向，形成由下至上依次层叠设置的第一个电极层、所述选通层、第二个电极层、所述相变存储层和第三个电极层；

所述形成阻挡结构，还包括：形成覆盖至少一个所述电极层的侧壁、所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁的所述阻挡结构；其中，沿所述第一方向，覆盖所述电极层侧壁的阻挡结构，与覆盖所述相变存储层和所述选通层侧壁的阻挡结构电隔离。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述方法还包括：

形成沿所述第一方向延伸的第一隔离结构；其中，所述第一隔离结构，覆盖所述至少三个电极层的侧壁以及所述阻挡结构，用于电隔离相邻的所述相变存储单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

沿平行于所述衬底所在平面的第二方向，形成与所述相变存储单元、所述阻挡结构以及所述第一隔离结构并列设置的第二隔离结构；其中，

所述第二隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离和/或热隔离相邻的所述相变存储单元；

所述阻挡结构，具体用于阻挡所述第二隔离结构形成过程中产生的氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述形成相变存储单元，包括：

形成相变存储叠层；其中，所述相变存储叠层包括层叠设置的相变存储材料层和选通材料层；

形成贯穿所述相变存储叠层的第一凹槽；其中，所述第一凹槽沿第二方向延伸；所述第一凹槽的侧壁显露所述相变存储材料层和所述选通材料层相对设置的两侧；

形成贯穿所述相变存储叠层的第二凹槽；其中，所述第二凹槽沿第三方向延伸；所述第二凹槽的侧壁显露所述相变存储材料层和所述选通材料层相对设置的另两侧；所述第二方向垂直于所述第三方向，所述第二方向和所述第三方向平行于衬底所在的平面；

所述形成阻挡结构，包括：

形成覆盖所述相变存储材料层和所述选通材料层相对设置的两侧以及相对设置的另两侧的所述阻挡结构。