[发明专利]相变存储器及其制作方法

说明书

本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和选通层；阻挡结构，覆盖所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁，用于阻挡氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种相变存储器及其制作方法。

背景技术

相变存储器(Phase Change Memory，PCM)作为作为下一代主流的非易失性存储器，同时具有动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的高速度、高寿命和快闪存储器(Flash Memory)的低成本、非易失的优点。另外，由于其低功耗和高集成度而可以用于移动设备中。

相关技术中，可沿平行于衬底所在的平面，形成呈阵列排布的多个相变存储单元，以及覆盖相变存储单元侧壁的隔离结构。然而，在形成隔离结构的过程中，可能会有部分活性粒子进入相变存储单元，与相变存储单元中的元素结合，改变相变存储单元组分，降低相变存储器的电性能。因此，在制作相变存储器的过程中，如何保障相变存储单元的组分稳定，成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种相变存储器及其制作方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器，包括：

相变存储单元，包括：层叠设置的相变存储层和选通层；

阻挡结构，覆盖所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁，用于阻挡氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

在一些实施例中，所述相变存储单元还包括：

至少三个电极层，沿垂直于衬底的第一方向层叠设置；其中，所述选通层位于第一个所述电极层和第二个所述电极层之间，所述相变存储层位于第二个所述电极层和第三个所述电极层之间；

所述阻挡结构，至少覆盖一个所述电极层的侧壁；其中，覆盖所述电极层侧壁的阻挡结构，与覆盖所述相变存储层侧壁以及所述选通层侧壁的阻挡结构，沿所述第一方向电隔离设置；所述相变存储器包括沿平行于所述衬底方向并列排布的多个所述相变存储单元，所述相变存储器还包括：

第一隔离结构，沿所述第一方向延伸，覆盖所述至少三个电极层的侧壁和所述阻挡结构，用于电隔离相邻的所述相变存储单元。

在一些实施例中，所述相变存储器还包括：

第二隔离结构，位于相邻的所述相变存储单元之间，用于电隔离和/或热隔离相邻的所述相变存储单元；其中，所述第二隔离结构、所述第一隔离结构、所述阻挡结构以及所述相变存储单元，沿平行于所述衬底的第二方向并列设置；

所述阻挡结构，具体用于阻挡所述第二隔离结构形成过程中产生的氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

在一些实施例中，所述阻挡结构，用于驱动所述氧粒子向远离所述相变存储层和所述选通层的方向移动，以阻挡所述氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

在一些实施例中，所述阻挡结构的厚度不大于0.4nm。

在一些实施例中，所述阻挡结构的组成材料包括：钌或铂。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种相变存储器的制作方法，包括：

形成相变存储单元；其中，所述相变存储单元包括层叠设置的相变存储层和选通层；

形成阻挡结构；其中，所述阻挡结构，覆盖所述相变存储层的侧壁和所述选通层的侧壁，用于阻挡氧粒子进入所述相变存储层和所述选通层。

在一些实施例中，所述相变存储单元还包括：至少三个电极层；所述相变存储器包括沿平行于衬底方向并列排布的多个所述相变存储单元；