[发明专利]低噪声放大电路及射频前端模块

权利要求书

1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括信号输入端、信号输出端、第一级放大电路、第二级放大电路、第一级输出匹配网络和第二级输出匹配网络；

所述第一级放大电路和所述第二级放大电路串联在所述信号输入端和所述信号输出端之间；

连接在所述第二级放大电路的输出端和第一供电电源端之间的所述第一级输出匹配网络，被配置为与所述低噪声放大电路的输出阻抗的虚部相关联；

连接在所述第二级放大电路的输出端和第二供电电源端之间的所述第二级输出匹配网络，所述第二级输出匹配网络为电阻网络，被配置为与所述低噪声放大电路的输出阻抗的实部相关联。

2.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路的增益与所述第二级输出匹配网络相关联。

3.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电阻网络为输出匹配电阻，其中，所述低噪声放大电路的输出阻抗与所述输出匹配电阻的阻值呈正比。

4.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电阻网络为可调节电阻，所述可调节电阻被配置为对所述低噪声放大电路的输出阻抗的实部进行调节。

5.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电阻网络包括多条阻抗调节支路，每一所述阻抗调节支路包括串联连接的匹配开关和匹配电阻。

6.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一级输出匹配网络包括并联连接的第一电容和第一电感。

7.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一级放大电路包括第一隔直电容、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二隔直电容；

所述第一隔直电容的第一端与所述信号输入端相连，所述第一隔直电容的第二端与所述第一放大晶体管的第一端相连；

所述第一放大晶体管的第二端与所述第二放大晶体管的第三端相连，所述第一放大晶体管的第三端与接地端相连；

所述第二放大晶体管的第一端通过所述第二隔直电容与接地端相连；

所述第二放大晶体管的第二端与作为所述第一级放大电路的输出端与所述第二级放大电路的输入端相连。

8.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第二级放大电路包括第三隔直电容、第四隔直电容、第三放大晶体管和第四放大晶体管；

所述第三隔直电容的第一端作为所述第二级放大电路的输入端与所述第一级放大电路的输出端相连，所述第三隔直电容的第二端与所述第三放大晶体管的第一端相连；

所述第三放大晶体管的第二端与所述第四放大晶体管的第三端相连，所述第三放大晶体管的的第三端与接地端相连；

所述第四放大晶体管的第一端通过所述第四隔直电容与接地端相连，所述第四放大晶体管的第二端作为所述第二级放大电路的输出端与所述第二级输出匹配网络相连。

9.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路还包括第一增益调节电路和第二增益调节电路；

所述第一增益调节电路，一端与所述第一级放大电路相连，另一端与接地端相连，被配置为对所述第一级放大电路进行增益调节；

所述第二增益调节电路，一端与所述第二级放大电路相连，另一端与接地端相连，被配置为对所述第二级放大电路进行增益调节。

10.一种射频前端模块，包括基板和设置在所述基板上的低噪声放大芯片，其特征在于，所述低噪声放大芯片上设有权利要求1-8任一项所述的低噪声放大电路。

11.如权利要求10所述的射频前端模块，其特征在于，所述射频前端模块还包括第一增益调节电路和第二增益调节电路；所述第一增益调节电路包括设置在所述基板上的第一增益调节电感，所述第二增益调节电路包括设置在所述基板上的第二增益调节电感；

所述第一增益调节电感，一端与设置在所述低噪声放大芯片上的所述第一级放大电路相连，另一端与接地端相连；

所述第二增益调节电感，一端与设置在所述低噪声放大芯片上的所述第二级放大电路相连，另一端与接地端相连。