[发明专利]微纳射频器件及其制备方法

权利要求书

1.一种微纳射频器件的制备方法，包括：

在SOI片上生长隔离层；

图形化所述隔离层，以在所述SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环；

在所述谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层；

去除所述电极引线、所述信号屏蔽层及所述封装环表面的隔离层，在所述SOI的整个表面生长一层导电层，对所述导电层图形化，保留所述电极引线、所述信号屏蔽层、所述封装环部分的导电层，并在所述谐振单元与电极引线之间形成输入电极及输出电极；其中，所述电极引线、所述信号屏蔽层、所述封装环部分的导电层用于传输电信号；

去除所述谐振单元表面的隔离层及所述SOI片上正对所述谐振单元的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，所述方法还包括：

制备封装盖片，包括：

在基片上制备垂直传输线；

在所述垂直传输线周围沟槽内填充绝缘材料形成同轴屏蔽层；

对所述基片的两侧进行打磨，直至所述两侧均显露所述垂直传输线及所述同轴屏蔽层；

对所述基片的一面进行刻蚀，以形成封装空腔，其中，所述垂直传输线位于所述封装空腔的外围。

3.根据权利要求2所述的制备方法，所述方法还包括：

在所述电极引线表面制备电极焊盘；

在所述封装环表面制备封装焊盘；

在所述封装空腔的一侧制备面内引线，其中，所述面内引线连接所述垂直传输线；

在所述基片上形成有封装空腔的一面制备盖片封装焊盘；

将所述封装焊盘与所述盖片封装焊盘键合，以使所述面内引线与所述电极焊盘连接以及所述封装空腔将所述谐振单元密封。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，采用剥离或刻蚀或电镀制备所述电极焊盘、所述封装焊盘、所述面内引线和所述盖片封装焊盘。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其中，采用阳极键合或共晶键合或中间层键合的方式键合所述封装焊盘与所述盖片封装焊盘。

6.根据权利要求1所述的制备方法，所述方法还包括：

在所述信号屏蔽层内部制备接地通孔阵列。

7.根据权利要求1所述的制备方法，所述方法还包括：

完全去除或部分去除所述间隔层。

8.根据权利要求1所述的制备方法，所述方法还包括：

对所述导电层图形化，保留所述谐振单元上的部分导电层，其中，所述部分导电层用于支撑所述微纳射频器件和/或调节所述微纳射频器件的机械特性。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述在SOI片上生长的隔离层包括：

生长绝缘材料作为所述隔离层，其中，所述绝缘材料包括氧化硅或氮化硅。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述在所述谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层，包括：

采用热氧化、化学气相沉积、ALD技术中的至少一种方法制备所述间隔层。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其中，采用氧化硅、氮化硅、氧化铪中的至少之一制备所述间隔层。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在所述SOI的整个表面生长一层导电层包括：

采用沉积或外延的方式生长所述导电层，其中，所述导电层包括金属或半导体材料，通过掺杂的方式实现所述半导体材料的导电性。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，在所述SOI的整个表面生长一层导电层包括：

采用溅射的方式生长所述导电层，其中，通过离子注入的方式实现所述半导体材料的导电性。