[发明专利]具有不同熔化温度的互连结构的封装体在审
申请号: | 202110353843.X | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN113097170A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | A·格拉斯曼;J·赫格尔;A·凯斯勒;I·尼基廷 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 不同 熔化 温度 互连 结构 封装 | ||
一种封装体(100)包括:至少一个电子芯片(102);第一散热体(104),所述至少一个电子芯片(102)通过第一互连结构(170)安装在所述第一散热体(104)上;第二散热体(106),所述第二散热体(106)通过第二互连结构(172)安装在所述至少一个电子芯片(102)上或上方;以及包封材料(108),所述包封材料(108)包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分、所述第一散热体(104)的一部分和所述第二散热体(106)的一部分,其中,所述第一互连结构(170)被配置为相比所述第二互连结构(172)具有不同的熔化温度。
本申请是申请日为2017年11月14日、申请号为201711123924.0、发明名称为“具有不同熔化温度的互连结构的封装体”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及多种封装体、一种车辆、一种使用方法以及一种制造封装体的方法。
背景技术
例如用于汽车应用的功率模块为功率器件(通常是包括一个或两个以上集成电路构件的电子芯片形式的功率半导体装置)提供物理容纳。功率模块的集成电路构件的例子是绝缘栅双极晶体管(IGBT:Insulated-Gate Bipolar Transistor)和二极管。
对于这种和其它封装体,期望在封装期间以高的空间精度、重复性和可靠性实施各种元件堆叠。此外,还期望封装体的设计不会受到太多约束的过度限制。然而,这是传统方法难以实现的。
发明内容
可能需要一种可以高度自由地制造的可靠的封装体。
根据一个示例性实施例,提供了一种封装体,其包括:至少一个电子芯片;第一散热体,所述至少一个电子芯片通过第一互连结构安装在所述第一散热体上;第二散热体,所述第二散热体通过第二互连结构安装在所述至少一个电子芯片上或上方;以及可选的包封材料,所述包封材料包封所述至少一个电子芯片的至少一部分、第一散热体的一部分和第二散热体的一部分,其中,所述第一互连结构被配置成相比所述第二互连结构具有不同的熔化(或再融化)温度。
根据另一示例性实施例,提供了一种封装体,其包括:至少一个电子芯片;第一散热体,所述至少一个电子芯片通过第一互连结构安装在所述第一散热体上;第二散热体,所述第二散热体安装在所述至少一个电子芯片上方;至少一个间隔体,所述至少一个间隔体布置在所述至少一个电子芯片与所述第二散热体之间;第二互连结构,所述第二互连结构将所述至少一个电子芯片与所述至少一个间隔体连接;第三互连结构,所述第三互连结构将所述至少一个间隔体与所述第二散热体连接;以及可选的包封材料,所述包封材料包封所述至少一个电子芯片的至少一部分、所述至少一个间隔体的至少一部分、所述第一散热体的一部分和所述第二散热体的一部分,其中,所述第一互连结构、所述第二互连结构和所述第三互连结构中的一个相比所述第一互连结构、所述第二互连结构和所述第三互连结构中的至少另一个具有不同的熔化(或再熔化)温度。
根据另一示例性实施例,提供了一种车辆,其包括具有上述特征的封装体中的一种。
根据又一示例性实施例,提供了一种制造封装体的方法,其中,所述方法包括:通过第一互连结构将至少一个电子芯片安装在第一散热体上;通过第二互连结构将第二散热体安装在所述至少一个电子芯片上或上方;可选地通过包封材料包封所述至少一个电子芯片的至少一部分、第一散热体的一部分和第二散热体的一部分;以及将第一互连结构配置成相比所述第二互连结构具有不同的熔化(或再融化)温度。
根据又一示例性实施例,提供了一种制造封装体的方法,其中,所述方法包括:通过第一互连结构将至少一个电子芯片安装在第一散热体上;通过第二互连结构将至少一个间隔体安装在所述至少一个电子芯片上;以及通过第三互连结构将第二散热体安装在所述间隔体上,其中,所述第一互连结构、所述第二互连结构和所述第三互连结构中的一个与所述第一互连结构、所述第二互连结构和所述第三互连结构中的其它两个相比具有不同的熔化(或再熔化)温度。
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