[发明专利]电阻失配模型及提取方法在审

专利信息
申请号: 202110354884.0 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN112949241A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 丁琳;商干兵 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F30/367 分类号: G06F30/367
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 周耀君
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电阻 失配 模型 提取 方法
【权利要求书】:

1.一种电阻失配模型,其特征在于,所述电阻失配模型为:

Rshmis=arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flag

geo_fac=1/sqrt(w*l)

arsh=arsh0*f(w,l)

f(w,l)=power(l,larsh0)*power(w,warsh0)*power(w*l,parsh0)

其中,geo_fac为电阻器件的几何因子,w为电阻器件的宽度,l为电阻器件的长度,sigma_mis=aguass(0,1,1)为高斯正态分布随机数,mismatch_flag=0 or 1,用于控制电阻失配模型失配特性仿真时的打开或关闭;arsh0为大尺寸电阻器件的修正系数;f(w,l)为与电阻器件尺寸相关的修正函数,larsh0为电阻器件在长度维度上的修正系数、warsh0为电阻器件在宽度维度上的修正系数,parsh0为小尺寸电阻器件的修正系数特。

2.一种如权利要求1所述的电阻失配模型的提取方法,其特征在于,包括:

S1、设计不同尺寸的电阻失配对,每个电阻失配对包括两个尺寸相同的电阻器件,根据所述电阻器件的尺寸将所述电阻失配对划分为第一失配对、第二失配对、第三失配对及第四失配对,所述第一失配对中电阻器件的长度大于设定长度阈值且宽度大于设定宽度阈值,所述第二失配对中电阻器件的宽度相同且长度不同,所述第三失配对中电阻器件的长度相同且宽度不同,所述第四失配对中电阻器件的长度小于设定长度阈值且宽度小于设定宽度阈值;

S2、测量不同尺寸的电阻失配对的电阻失配值;

S3、建立基本的电阻失配模型;

S4、对所述第一失配对的失配特性进行曲线拟合,若拟合不好,则进入S5,如拟合好,则进入S6;

S5、修改大尺寸电阻器件的修正系数,并进入S4;

S6、建立引入与所述电阻器件尺寸相关的修正函数的电阻失配模型;

S7、依次对所述第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合,若拟合不好,则进入S8,如拟合好,则进入S9;

S8、对应修改电阻器件在长度维度上的修正系数、宽度维度上的修正系数或小尺寸电阻器件的修正系数,并进入S7;

S9、根据S7得到电阻失配模型,并对所述电阻失配模型进行验证。

3.如权利要求2所述的电阻失配模型的提取方法,其特征在于,所述S7中,依次所述第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合具体包括:

对所述第二失配对在长度维度上的失配特性进行曲线拟合;

对所述第三失配对在宽度维度上的失配特性进行曲线拟合;

对所述第四失配对在小尺寸维度上的失配特性进行曲线拟合。

4.如权利要求2所述的电阻失配模型的提取方法,其特征在于,所述步骤S3中,建立基本的电阻失配模型:

Rshmis=arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flag

其中,arsh为与电阻器件尺寸相关的修正常数。

5.如权利要求2所述的电阻失配模型的提取方法,其特征在于,所述步骤S4中,若测量的电阻失配值与根据基本的电阻失配模型得到的电阻失配拟合值相差大于或等于20%,则认为拟合不好;若测量的电阻失配值与根据基本的电阻失配模型得到的电阻失配拟合值相差小于20%,则认为拟合好。

6.如权利要求5所述的电阻失配模型的提取方法,其特征在于,根据基本的电阻失配模型得到的电阻失配拟合值为通过仿真根据基本的电阻失配模型得到的电阻失配拟合值。

7.如权利要求5所述的电阻失配模型的提取方法,其特征在于,所述步骤S5具体包括:根据测量的电阻失配值与根据基本的电阻失配模型得到的电阻失配拟合值的偏差量修改大尺寸电阻器件的修正系数。

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