[发明专利]电阻失配模型及提取方法

说明书

本发明提供了一种电阻失配模型及提取方法，提取方法包括：设计不同尺寸的电阻失配对，根据电阻器件的尺寸将电阻失配对划分为第一失配对、第二失配对、第三失配对及第四失配对；测量电阻失配对的电阻失配值；建立基本的电阻失配模型；对第一失配对的失配特性进行曲线拟合；拟合好之后，建立引入与电阻器件尺寸相关的修正函数的电阻失配模型；依次对第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合；拟合好之后得到电阻失配模型，并对电阻失配模型进行验证。本发明在原有电阻失配模型的基础上，通过引入与电阻尺寸相关的修正函数，提高了电阻失配模型的拟合精度，使之能更精确地表征不同尺寸下电阻失配对的实际失配特性。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电阻失配模型及提取方法。

背景技术

电阻器件是集成电路中常用的无源器件。受刻蚀选择性、激光退火角度，离子注入方向等制造工艺的影响，成对出现的电阻失配结构往往存在阻值特性的差异。电阻模型中通常使用失配模型去拟合这一失配现象。随着半导体工艺制造尺寸的不断减小，电阻失配特性对电路设计的影响逐渐显现，电路设计者对电阻模型拟合精度的要求也越来越高，常规的电阻失配模型与器件尺寸上的关联性过于单一，无法进一步修正电阻器件尺寸对失配特性的影响，因此，现有的电阻失配模型拟合已经无法满足集成电路设计师对电阻器件失配模型精度的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电阻失配模型及提取方法，提高了电阻失配模型的拟合精度，使之能更精确地表征不同尺寸下电阻器件的实际失配特性。

为了达到上述目的，本发明提供了一种电阻失配模型，所述电阻失配模型为：

Rshmis＝arsh*geo_fac*sigma_mis*mismatch_flag

geo-fac＝1/sqrt(w*l)

arsh＝arsh0*f(w，l)

f(w,l)＝power(l，larsh0)*power(w，warsh0)*power(w*l，parsh0)

其中，geo_fac为电阻器件的几何因子，w为电阻器件的宽度，l为电阻器件的长度，sigma_mis＝aguass(0,1,1)为高斯正态分布随机数，mismatch_flag＝0or 1，用于控制电阻失配模型失配特性仿真时的打开或关闭；arsh0为大尺寸电阻器件的修正系数；f(w,l)为与电阻器件尺寸相关的修正函数，larsh0为电阻器件在长度维度上的修正系数、warsh0为电阻器件在宽度维度上的修正系数，parsh0为小尺寸电阻器件的修正系数。

基于此，本发明还提供了所述电阻失配模型的提取方法，包括：

S1、设计不同尺寸的电阻失配对，每个电阻失配对包括两个尺寸相同的电阻器件，根据所述电阻器件的尺寸将所述电阻失配对划分为第一失配对、第二失配对、第三失配对及第四失配对，所述第一失配对中电阻器件的长度大于设定长度阈值且宽度大于设定宽度阈值，所述第二失配对中电阻器件的宽度相同且长度不同，所述第三失配对中电阻器件的长度相同且宽度不同，所述第四失配对中电阻器件的长度小于设定长度阈值且宽度小于设定宽度阈值；

S2、测量不同尺寸的电阻失配对的电阻失配值；

S3、建立基本的电阻失配模型；

S4、对所述第一失配对的失配特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S5，如拟合好，则进入S6；

S5、修改大尺寸电阻器件的修正系数，并进入S4；

S6、建立引入与所述电阻器件尺寸相关的修正函数的电阻失配模型；

S7、依次对所述第二失配对、第三失配对及第四失配对的失配特性进行曲线拟合，若拟合不好，则进入S8，如拟合好，则进入S9；