[发明专利]光电传感器及其形成方法、电子设备

权利要求书

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：

第一基底，具有第一表面；所述第一基底包括像素区，所述像素区包括多个阵列排布的子像素区；

陷光槽，位于所述第一表面的所述子像素区中；

隔光结构，贯穿于相邻所述子像素区之间的部分厚度的第一基底中。

2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一基底为像素晶圆，所述第一表面为受光面；所述第一基底还包括与所述第一表面相背的第二表面；

所述光电传感器还包括：第二基底，用于作为逻辑晶圆，键合于所述第一基底的第二表面。

3.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，位于每个所述子像素区的所述陷光槽的数量为多个，多个所述陷光槽在所述子像素区中呈阵列式排布。

4.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述陷光槽为倒金字塔结构或矩形结构。

5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述陷光槽的密度为25％至100％。

6.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：介质结构层，包括：共形介质层，位于所述隔光结构的侧壁与第一基底之间、所述隔光结构的底部与第一基底之间、所述陷光槽的内表面以及所述陷光槽露出的第一表面；透光层，至少位于所述陷光槽内的共形介质层上且填充所述陷光槽。

7.如权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，所述共形介质层为单层结构或叠层结构。

8.如权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，所述共形介质层包括带负电的介质层。

9.如权利要求8所述的光电传感器，其特征在于，所述共形介质层为叠层结构，所述共形介质层还包括：界面缓冲层，位于所述带负电的介质层与所述第一基底之间、所述陷光槽的内表面与所述带负电的介质层之间、以及所述第一表面与所述带负电的介质层之间。

10.如权利要求8或9所述的光电传感器，其特征在于，所述共形介质层为叠层结构，所述共形介质层还包括：隔离层，位于所述隔光结构与所述带负电的介质层之间、以及所述透光层与所述带负电的介质层之间。

11.如权利要求8所述的光电传感器，其特征在于，所述带负电的介质层的材料包括带有负电荷的高k介质材料。

12.如权利要求8所述的光电传感器，其特征在于，所述带负电的介质层为单层结构，或者，所述带负电的介质层为叠层结构；

所述带负电的介质层的材料包括氧化铝、氧化钛、氧化铪、氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化钇、氧化钽、氧化锶、氧化镧和氧化钡中的任意一种或多种；或者，所述带负电的介质层的材料为氮化物电介质材料。

13.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述隔光结构的材料为导电材料。

14.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述隔光结构的材料为金属材料，所述隔光结构的材料包括W、Al、Cu、Ti、TiN、Ta和TaN中的一种或多种；或者，所述隔光结构的材料为掺杂有导电离子的多晶硅。