[发明专利]光电传感器及其形成方法、电子设备

说明书

一种光电传感器及其形成方法、电子设备，所述光电传感器包括：第一基底，具有第一表面；所述第一基底包括像素区，所述像素区包括多个阵列排布的子像素区；陷光槽，位于所述第一表面的所述子像素区中；隔光结构，贯穿于相邻所述子像素区之间的部分厚度的第一基底中。本发明实施例将所述陷光槽和隔光结构整合在所述光电传感器中，有利于防止相邻像素之间发生光学串扰、提高像素区的光学透过率，提升了光电传感器的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光电传感器及其形成方法、电子设备。

背景技术

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应，光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。

例如，CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)图像传感器和CMOS图像传感器，利用光电转换功能将光学图像转换为电信号后输出数字图像，目前被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中。ToF(Time of Flight，飞行时间)距离传感器，将调制的红外光源投射到物体、人物或场景上，然后反射光由ToF传感器捕获，该传感器测量每个像素接收的光强和相位差，从而获得高度可靠的深度图像以及整个场景的灰度图像，该技术可以被用于自动驾驶、扫地机器人、VR(Virtual Reality，虚拟现实)/AR(Augmented Reality，增强现实)建模等各种测距场景中。

光电传感器都具有一定面积的像素(pixel)区，用来接收光学信号，像素区的光学透过率越高，器件的光学灵敏度性能越好。

但是，目前形成光电传感器的工艺整合度较差。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光电传感器及其形成方法、电子设备，提高形成光电传感器的工艺整合度，优化了光电传感器的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光电传感器，包括：第一基底，具有第一表面；所述第一基底包括像素区，所述像素区包括多个阵列排布的子像素区；陷光槽，位于所述第一表面的所述子像素区中；隔光结构，贯穿于相邻所述子像素区之间的部分厚度的第一基底中。

相应的，本发明实施例还提供一种光电传感器的形成方法，包括：提供第一基底，具有第一表面；所述第一基底包括像素区，所述像素区包括多个阵列排布的子像素区；在所述第一表面的子像素区形成陷光槽；在相邻的所述子像素区之间的第一基底中形成隔离沟槽，用于隔离相邻的所述子像素区；形成介质结构层，包括保形覆盖于所述隔离沟槽的侧壁和底面、所述陷光槽的内表面和所述陷光槽露出的第一表面的共形介质层、以及覆盖于所述第一表面和陷光槽内表面的共形介质层上的透光层，所述透光层填充于所述陷光槽且密封所述隔离沟槽的顶部；去除位于所述隔离沟槽顶部的所述透光层，暴露出所述隔离沟槽；在形成有所述共形介质层的所述隔离沟槽中填充隔光结构。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括本发明实施例提供的光电传感器。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的光电传感器，所述第一表面的所述子像素区中设置有陷光槽，有利于提高像素区的光学透过率、增加光电转化效率；而且，相邻子像素区之间的基底中还设置有所述隔光结构，有利于防止所述像素区的相邻像素之间发生光学串扰；因此，本发明实施例将所述陷光槽和隔光结构整合在所述光电传感器中，提升了光电传感器的性能。