[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底之上形成模制结构，该模制结构包括模制层和支撑件层；

形成贯穿所述模制结构的开口；

在所述开口的底表面和侧壁上形成保护层；

在所述保护层之上形成下电极；

选择性地蚀刻所述支撑件层，以形成支撑所述下电极的支撑件；

去除所述模制层以暴露所述保护层的外壁的一部分；以及

选择性地修整所述保护层的所述暴露部分，以形成在所述支撑件与所述下电极之间的保护层图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层和所述下电极包括不同的导电材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括非晶导电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括非晶铌或非晶氮化钛。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下电极包括多晶导电材料，并且所述保护层包括非晶导电材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下电极包括多晶氮化钛，并且所述保护层包括非晶氮化钛。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下电极包括多晶氮化钛，并且所述保护层包括非晶铌或非晶氮化铌。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下电极包括：筒状电极，其与所述保护层图案接触；和柱状电极，其填充所述筒状电极的内部。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述筒状电极包括晶体氮化钛，并且所述柱状电极包括多晶硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用氢氧化铵、过氧化氢和水的混合物来进行选择性地修整所述保护层的所述暴露部分的步骤。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模制层包括多级模制层，并且所述支撑件层包括插设于所述多级模制层之间的多级支撑件层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑件包括多级电介质支撑件，并且所述保护层图案包括多级保护层图案，所述多级保护层图案位于所述多级电介质支撑件与所述下电极之间。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑件包括氮化硅或碳氮化硅，并且所述保护层图案包括铌或氮化铌。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性地修整所述保护层的所述暴露部分的步骤包括：

切割所述保护层的所述暴露部分。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性地修整所述保护层的所述暴露部分的步骤包括：

形成下级保护层图案，所述下级保护层图案在所述下电极的底部与所述半导体衬底之间，而与所述支撑件在竖直方向上间隔开。

16.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在选择性地修整所述保护层的所述暴露部分之后：

在所述下电极、所述支撑件和所述保护层图案之上形成电介质层；以及

在所述电介质层之上形成上电极。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性地修整所述保护层的所述暴露部分的步骤包括：

将所述保护层的所述暴露部分减薄以使其厚度小于所述保护层的未暴露部分的厚度，从而产生变薄的暴露部分。