[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成包括模制层和支撑件层的模制结构；形成贯穿模制结构的开口；在开口的底表面和侧壁上形成保护层；在保护层之上形成下电极；选择性地蚀刻支撑件层，以形成支撑下电极的支撑件；去除模制层以限定保护层外壁的非暴露部分和暴露部分；以及选择性地修整保护层的暴露部分，以形成在支撑件与下电极之间的保护层图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月29日提交的申请号为10-2020-0079280的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括电容器的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。

背景技术

由于半导体存储器高度集成，因此单位单元面积减小，这导致工作电压降低。这需要具有高电容和低泄漏电流的高k材料。

发明内容

本发明的实施例针对一种包括电容器的半导体器件及其制造方法，所述电容器具有高的介电常数和低的泄漏电流。

根据本发明的实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底之上形成模制结构，该模制结构包括模制层和支撑件层；形成贯穿所述模制结构的开口；在所述开口的底表面和侧壁上形成保护层；在所述保护层之上形成下电极；选择性地蚀刻所述支撑件层，以形成支撑所述下电极的支撑件；去除所述模制层以暴露所述保护层的外壁的一部分；以及选择性地修整所述保护层的所述暴露部分，以形成在所述支撑件与所述下电极之间的保护层图案。

根据本发明的另一实施例，一种半导体器件包括：下电极，其在半导体衬底之上；支撑件，其支撑所述下电极的外壁；非晶保护层图案，其在所述支撑件与所述下电极之间；和下级非晶保护层图案，其位于所述下电极与所述半导体衬底之间，并与所述非晶保护层图案在竖直方向上间隔开。

通过以下详细描述和附图，本发明的这些和其他特征以及优点对于本领域普通技术人员将变得显而易见。

附图说明

图1A是示出根据本发明实施例的半导体器件的剖视图。

图1B是沿图1A的线A1-A1’截取的平面图。

图1C是沿图1A的线A2-A2’截取的平面图。

图1D是沿图1A的线A3-A3’截取的平面图。

图2A至图2I是示出根据本发明实施例的用于制造半导体器件的方法的示例的剖视图。

图3A至图3D是示出根据本发明实施例的用于制造半导体器件的方法的示例的剖视图。

图4A至图4C是示出根据本发明实施例的用于制造半导体器件的方法的示例的剖视图。

图5是图4C所示的部分22A的放大图。

具体实施方式

下面将参考附图更详细地描述本发明的各种实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。更准确地说，提供这些实施例以使得本公开更为彻底且完整，并且将使本发明所属领域的技术人员充分了解本发明的范围。贯穿本公开，在本发明的各个附图和实施例中，相同的附图标记指代相同的部分。

附图不一定按比例绘制，并且在某些情况下，比例可能已被夸大，以便清楚地示出实施例的特征。当第一层被称为在第二层“上”或在衬底“上”时，其不仅指第一层被直接形成在第二层或衬底上的情况，而且还指在第一层与第二层或衬底之间存在第三层的情况。

应当理解，附图是所描述的器件的简化示意图，并且可能未包括已知的零件，以避免使本发明的特征模糊不清。