[发明专利]曝光对准的补偿方法及补偿系统有效
申请号: | 202110362010.X | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113093485B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 张胜安;赵磊 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 对准 补偿 方法 系统 | ||
本发明涉及一种曝光对准的补偿方法及补偿系统,包括:获取对准图形的原始数据;对所述原始数据进行一阶处理,以得到一阶求导数据;在所述曝光对准存在偏差时,基于所述原始数据及所述一阶求导数据得到补偿值;基于所述补偿值对曝光对准进行补偿。本发明的曝光对准的补偿方法通过对原始数据进行一阶处理得到一阶求导数据,再基于原始数据和一阶求导数据得到补偿值对曝光对准进行补偿,补偿精度较高,可以优化曝光对准的精确度。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种曝光对准的补偿方法及补偿系统。
背景技术
随着半导体工艺的不断发展,精细图形的制备需要较高的曝光对准精度;然而,目前的曝光设备厂商都有相应的指数来反映对准图形的图像强度,但对于工艺制程例如刻蚀、化学机械研磨等导致的对准图形形变的监控及形变后如何进行补偿修正并没有相应的技术,从而使得现有的曝光对准精度较低。
发明内容
基于此,有必要针对上述问题,提供一种曝光对准的补偿方法及补偿系统,以解决现有技术中无法对对准图形是否存在形变及形变后如何进行补偿修正而导致的曝光对准精度较低的问题。
本申请提供一种曝光对准的补偿方法,包括:
获取对准图形的原始数据;
对所述原始数据进行求导处理,以得到求导数据;
在所述曝光对准存在偏差时,基于所述原始数据及所述求导数据得到补偿值;
基于所述补偿值对曝光对准进行补偿。
在一个可选的实施例中,所述对准图形各点的所述原始数据及各点的所述求导数据均为矢量。
在一个可选的实施例中,所述基于所述原始数据及所述求导数据得到补偿值包括:
将所述原始数据拆分为X分量及Y分量,以得到第一数据;
将所述求导数据拆分为X方向的分量及Y方向的分量,以得到第二数据;
基于所述第一数据及所述第二数据得到所述补偿值。
在一个可选的实施例中,所述对所述原始数据进行求导处理,以得到求导数据包括:对所述原始数据进行一阶求导,得到一阶求导数据作为所述求导数据;所述第一数据包括:所述原始数据在X方向的平移量TRX、所述原始数据在Y方向的平移量TRY、所述原始数据的旋转量GRX、所述原始数据的正交量NOGR、所述原始数据在X方向的放大量GMX、所述原始数据在Y方向的放大量GMY、所述原始数据在以晶圆的中心为原点的坐标系中X方向的坐标量CFX及所述原始数据在以晶圆的中心为原点的坐标系中Y方向的坐标量CFY;所述第二数据包括:所述一阶求导数据在X方向的平移量TRX’、所述一阶求导数据在Y方向的平移量TRY’、所述一阶求导数据的旋转量GRX’、所述一阶求导数据的正交量NOGR’、所述一阶求导数据在X方向的放大量GMX’、所述一阶求导数据在Y方向的放大量GMY’、所述一阶求导数据在以晶圆的中心为原点的坐标系中X方向的坐标量CFX’及所述一阶求导数据在以晶圆的中心为原点的坐标系中Y方向的坐标量CFY’;所述基于所述第一数据及所述第二数据得到所述补偿值包括:基于如下公式分别得到所述原始数据在X方向的偏移量Shift X、所述原始数据在Y方向的偏移量Shift Y、所述一阶求导数据在X方向的偏移量Shift X’及所述一阶求导数据在Y方向的偏移量Shift Y’:
Shift_X=(TRX)+(-GRX*CFY)+(-NOGR*CFY)+(GMX*CFX);
Shift_Y=(TRY)+(GRX*CFX)+(GMY*CFY);
Shift_X’=(TRX’)+(-GRX’*CFY’)+(-NOGR’*CFY’)+(GMX’*CFX’);
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