[发明专利]半导体装置、集成晶片与其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一栅极结构，上伏于一第一基板的一正面上，其中该第一基板具有与该正面相对的一背面；

一第一源极/漏极结构，上伏于该第一基板并且在横向上与该栅极结构相邻；

一电力轨，嵌入在该第一基板中并直接位于该第一源极/漏极结构下方；及

一第一源极/漏极触点，自该第一源极/漏极结构连续地延伸至该电力轨，其中该第一源极/漏极触点将该第一源极/漏极结构电耦合至该电力轨。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一源极/漏极结构沿该第一源极/漏极触点的相对侧壁连续地延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第一源极/漏极触点的一顶表面与该第一源极/漏极结构的一顶表面垂直对准。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：

一下绝缘结构，设置在该第一基板与该第一源极/漏极结构之间，其中该第一源极/漏极触点连续地延伸穿过该下绝缘结构至该电力轨的一顶表面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电力轨的一顶表面与该第一基板的该正面垂直对齐。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：

一第二源极/漏极结构，在横向上与该栅极结构相邻并且直接上伏于该电力轨，其中该第一源极/漏极结构及该第二源极/漏极结构分别设置在该栅极结构的相对侧上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：

一第一互连结构，上伏于该第一基板的该正面，其中该第一互连结构包含设置在一互连介电结构内的多个导电通孔，其中所述多个导电通孔中的一第一导电通孔直接接触该第二源极/漏极结构，并且其中该互连介电结构沿该第一源极/漏极结构的一顶表面连续地延伸。

8.一种集成晶片，其特征在于，包含：

一第一基板，具有与一背面相对的一正面；

一第一场效晶体管(field-effect transistors；FET)，上伏于该第一基板的该正面；

一第二FET，上伏于该第一基板的该正面并且在横向上与该第一FET相邻，其中该第一FET及该第二FET分别包含设置在一栅极电极的相对侧上的一第一源极/漏极结构及一第二源极/漏极结构；

多个电力轨，设置在该第一基板内，其中所述多个电力轨包含直接位于该第一FET的该第一源极/漏极结构下方的一第一电力轨及直接位于该第二FET的该第一源极/漏极结构下方的一第二电力轨；

一第一互连结构，上伏于该第一基板的该正面；

一第二互连结构，沿该第一基板的该背面设置；

多个贯穿基板通孔(through-substrate vias；TSV)，自该第二互连结构连续地延伸至所述多个电力轨；

一第一源极/漏极触点，设置在该第一电力轨与该第一FET的该第一源极/漏极结构之间；及

一第二源极/漏极触点，设置在该第二电力轨与该第二FET的该第二源极/漏极结构之间，其中该第一源极/漏极触点及该第二源极/漏极触点用以经由所述多个电力轨及所述多个贯穿基板通孔将该第一FET及该第二FET电耦合至该第二互连结构。

9.一种用于形成一集成晶片的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

在一第一基板的一正面内形成一电力轨；

在该第一基板的该正面上方形成一栅极结构；

在该栅极结构的相对侧上形成一对源极/漏极结构，使得该对源极/漏极结构上伏于该电力轨，其中该对源极/漏极结构包含一第一源极/漏极结构及一第二源极/漏极结构；及

在该电力轨上形成一源极/漏极触点，使得该源极/漏极触点自该第一源极/漏极结构连续地延伸至该电力轨。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：

在该第一基板的该正面上方形成一第一互连结构，其中该第一互连结构包含多个导电通孔及设置在一介电结构内的导线，其中所述多个导电通孔的一最底表面垂直位于该源极/漏极触点的一底表面之上。