[发明专利]一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC及其制备方法在审
申请号: | 202110365215.3 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN115160754A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 冉国文;兰修才;曹艳肖;周淑芬;李先红 | 申请(专利权)人: | 中蓝晨光化工研究设计院有限公司 |
主分类号: | C08L69/00 | 分类号: | C08L69/00;C08L27/18;C08K3/04;C08K5/00;C08K5/49;C08K5/54;C08K13/02 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 潘涛 |
地址: | 610041 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子电器 薄膜 用无卤 无全氟 烷基 磺酸盐 阻燃 pc 及其 制备 方法 | ||
1.一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:其由以下质量百分比的组分组成:
PC树脂:87~92%;
阻燃剂:6~10%;
抗滴落剂:0 .2~0 .5%;
炭黑:0 .5~2%;
抗氧剂:0 .3~0.5%;
分散剂:0 .3~0.8%。
2.根据权利要求1所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:所述PC树脂为双酚A型芳香族聚碳酸酯,其相对分子量为20000~30000。
3.根据权利要求1所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:所述阻燃剂为有机硅阻燃剂和磷系阻燃剂的复配物。
4.根据权利要求3所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:所述磷系阻燃剂为SPB-100、TPP、RDP、PX220中的一种或多种;所述硅系阻燃剂为SIFR-875SF、MR-01、RM4-7081中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:所述的抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:所述的抗滴落剂的主要成分为聚四氟乙烯。
7.根据权利要求1所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:所述的炭黑为炭黑粉体或者炭黑母粒。
8.根据权利要求1所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC,其特征在于:所述的分散剂为乙撑双硬脂酰胺、二甲基硅油、季戊四醇硬脂酸酯、聚乙烯蜡中的一种或多种。
9.一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC的制备方法,包括以下步骤:
步骤(1):将充分干燥后的PC树脂、阻燃剂、炭黑、抗滴落剂、抗氧剂和分散剂加入高速搅拌机混合3~5min;
步骤(2):将步骤(1)得到的混合物加入双螺杆挤出机中熔融共混并挤出造粒,得到电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC。
10.根据权利要求9所述的一种电子电器薄膜用无卤、无全氟烷基磺酸盐阻燃PC的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中所述的双螺杆挤出机的长径比为36~52,螺杆转速为200~300 rpm,挤出温度为240~260℃。
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