[发明专利]基于往复升缩的半导体晶圆外壁清洗装置和方法有效
申请号: | 202110365952.3 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN112802783B | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 钱诚;李刚;童建 | 申请(专利权)人: | 亚电科技南京有限公司;江苏亚电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/14;B08B1/02;B08B13/00 |
代理公司: | 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 210000 江苏省南京市江宁区双龙*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 往复 半导体 外壁 清洗 装置 方法 | ||
本发明涉及一种清洗装置,具体地说,涉及基于往复升缩的半导体晶圆外壁清洗装置和方法。其包括冲刷装置以及安装在所述冲刷装置上方的清洗装置,所述冲刷装置包括安装台、储水箱和安装箱,所述储水箱固定在安装台顶部的一端,该基于往复升缩的半导体晶圆外壁清洗装置及其净水方法中,通过设置的负压机和固定台,可以对晶圆进行负压固定,以便于晶圆的外壁可以被完整的清洗到,解决了现有的装置晶圆与固定装置接触的部分无法被清洗,导致清洗完毕后还需要人工对晶圆与固定装置接触的部分清洗,进而提高了对晶圆的清洗时间的问题。
技术领域
本发明涉及一种清洗装置,具体地说,涉及基于往复升缩的半导体晶圆外壁清洗装置和方法。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。
晶圆在制程中,会遇到例如,沉积、等离子体刻蚀、光刻、电镀等等,都有可能在晶圆表面引入污染和/或颗粒,导致晶圆表面的清洁度下降,制造的半导体器件良率不高,因此,需要对晶圆的外壁进行清洗,现有的清洗方式在清洗时,经常是通过固定装置就将晶圆的两侧进行固定,但是晶圆与固定装置接触的部分,则无法被清洗,导致清洗完毕后还需要人工对晶圆与固定装置接触的部分清洗,进而提高了对晶圆的清洗时间。
发明内容
本发明的目的在于提供基于往复升缩的半导体晶圆外壁清洗装置和方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明目的之一在于,提供了基于往复升缩的半导体晶圆外壁清洗装置,包括冲刷装置以及安装在所述冲刷装置上方的清洗装置,所述冲刷装置包括安装台、储水箱和安装箱,所述储水箱固定在安装台顶部的一端,所述储水箱的顶部安装有水泵,所述安装箱安装在所述安装台顶部位于所述储水箱的一侧,所述安装箱一侧的内壁连接有连接柱,所述连接柱内开设有流动空腔,所述连接柱的一端连通有喷头,所述储水箱、所述水泵和所述连接柱之间通过连接管相互连通,所述清洗装置至少包括:
固定机构,所述固定机构包括安装在所述储水箱顶部的负压机和安装在所述安装箱顶部的第一电机,所述负压机的进气口连通有通风管,所述通风管的一端连通有通风环,所述通风环的一端固定在所述安装箱底部的内壁,所述通风环的另一端转动连接有固定台,所述固定台内开设有气体空腔,所述固定台的顶部开设有若干穿孔,所述穿孔、所述气体空腔和所述通风环之间相互连通,所述固定台外壁固定连接有传动齿轮,所述第一电机的输出轴一端固定连接有转动齿轮并与所述传动齿轮啮合;
擦拭机构,所述擦拭机构包括安装在安装台顶部的第二电机和滑板,所述第二电机的输出轴一端固定连接有圆盘,所述滑板侧边滑动连接有方板,所述方板的表面开设有板槽,所述板槽内设置有与所述圆盘相啮合的联动齿轮,所述方板的一侧安装有毛刷,所述毛刷位于所述固定台的上方。
作为本技术方案的进一步改进,所述安装箱四周的内壁固定连接有挡板,所述挡板与所述固定台转动连接,所述固定台呈三角形结构。
作为本技术方案的进一步改进,所述安装箱的底部内壁设置有两个挡环,两个所述挡环之间形成流水槽,用于对水的收集,两个所述挡环之间安装有过滤板。
作为本技术方案的进一步改进,所述安装台的顶部连通有滴水管,所述滴水管与所述安装箱相连通,所述安装台的底部位于所述滴水管的下方安装有存水箱。
作为本技术方案的进一步改进,所述安装台的底部安装有安置箱,所述安置箱内安装有若干夹板,若干夹板之间形成插槽,用于对晶圆的存放。
作为本技术方案的进一步改进,所述第二电机的两侧转动连接有转轮,所述滑板的侧边开设有转槽,所述转槽与所述转轮转动连接。
作为本技术方案的进一步改进,所述第一电机的外周安装有防护罩,所述防护罩的内壁与外壁之间开设有填充空腔,所述填充空腔内填充有隔音棉。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚电科技南京有限公司;江苏亚电科技有限公司,未经亚电科技南京有限公司;江苏亚电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110365952.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造