[发明专利]一种沉积方法以及沉积装置

说明书

本发明提供了一种沉积方法及沉积装置。所述沉积方法包括如下步骤：提供晶圆和沉积挡板，所述晶圆的边缘区域具有定位缺口，所述沉积挡板包括用于遮挡所述定位缺口的突出部；将所述沉积挡板置于所述晶圆上方，所述沉积挡板与所述晶圆两者圆心对准重合；向所述晶圆的边缘区域发射光信号，接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况；据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口。通过精确计算定位缺口与突出部之间的角度差，实现快速精准移动沉积挡板，使沉积挡板完整的遮盖定位缺口，避免因定位缺口背面薄膜与正面薄膜接触导致的产品报废。

技术领域

本发明涉及半导体存储器件薄膜生长技术领域，尤其涉及一种沉积方法以及沉积装置。

背景技术

半导体存储器件薄膜生长技术领域一般运用等离子体增强化学气相沉积法实现薄膜材料生长，由于在传送过程中晶圆位置会发生偏移，因此需要将硅片和沉积挡板对准。在现有的控制硅片转动的方式下，接收器将光信号转化为电信号从而控制硅片转动，实现硅片和沉积挡板的对准。但光信号转化为电信号的过程中可能存在一定的延迟，导致硅片没有在指定位置停住，从而偏离了指定角度，另外在硅片边缘存在破损时，接收器将会产生多个接收信号，从而造成误判，使硅片无法转动到指定角度。

在晶边不需沉积薄膜的制程中，需要用到遮盖环装置盖住晶边及定位缺口，确保晶边和定位缺口不会沉积薄膜。在实际制程中遮盖环一般由四个卡扣固定在腔体中，遮盖环上设置有与晶圆定位缺口对应的缺口标签，用于遮盖定位缺口，避免在定位缺口上沉积薄膜。但是由于在传送过程中晶圆位置会发生偏移，遮盖环无法按照既定的设计完全覆盖晶边以及晶圆上的定位缺口，在制程中定位缺口会沉积薄膜，导致定位缺口位置背面薄膜与正面薄膜接触而导通，最后导致产生击穿而使产品报废。

因此，如何使沉积挡板快速精准完整的遮盖住晶边和定位缺口是现有技术需要解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种沉积方法和沉积装置，使沉积挡板快速精准完整的遮盖住晶边和定位缺口。

为了解决上述问题，本发明提供了一种沉积方法，所述方法包括如下步骤：提供晶圆和沉积挡板，所述晶圆的边缘区域具有定位缺口，所述沉积挡板包括用于遮挡所述定位缺口的突出部；将所述沉积挡板置于所述晶圆上方，所述沉积挡板与所述晶圆两者圆心对准重合；向所述晶圆的边缘区域发射光信号，接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况；据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口。

可选的，所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口，以及所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口。

可选的，所述接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与突出部之间的偏差情况的步骤进一步包括：获取所述晶圆的边缘区域的反射光信号的反射面积；将所述反射面积与预设面积比较，以判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况。或者接收反射信号计算其强度与预设的强度进行比较。在计算面积的方式下，将所述面积与预设的面积值比较，以判断出所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况。

可选的，所述预设的面积包括：第一预设面积、以及第二预设面积；所述第一预设面积是在所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口的情况下预先测量反射光信号的面积；所述第二预设面积是在所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口的情况下预先测量的面积；若所述反射面积等于所述第一预设面积，判断所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口；若所述反射面积小于第一预设面积且大于第二预设面积，判断所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口。