[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括第一区域和第二区域，其中，所述第二区域位于所述第一区域的两侧，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：

提供一器件板，所述器件板至少包括依次层叠设置的第一非金属层、第二非金属层和金属层；

利用含有有机酸的铜酸蚀刻液对与所述第一区域对应的所述金属层和所述第二非金属层进行处理，除去与所述第一区域对应的所述金属层以及除去与所述第一区域对应的所述第二非金属层，使得与所述第一区域对应的所述第一非金属层暴露，所述含有有机酸的铜酸蚀刻液的pH小于或等于4；

利用干法蚀刻工艺对与所述第一区域对应的所述第一非金属层进行处理，以除去与所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分，对应于所述第一区域的所述第一非金属层和对应于所述第二区域的所述第一非金属层和所述第二非金属层形成半导体层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用含有有机酸的铜酸蚀刻液对与所述第一区域对应的所述金属层和所述第二非金属层进行处理的步骤之后，还包括：

利用所述含有有机酸的铜酸蚀刻液蚀刻与所述第一区域对应的所述第一非金属层，以除去与所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用干法蚀刻工艺对与所述第一区域对应的所述第一非金属层进行处理，以除去与所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分的步骤包括：

调整所述干法蚀刻工艺的制程腔室的制程压力和蚀刻时间，以除去与所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分，其中，所述制程压力介于65帕至73帕之间，所述蚀刻时间介于30秒至80秒之间。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板还包括第三区域，所述第三区域位于所述第二区域的外侧，所述提供一器件板的步骤之后，还包括：

在所述金属层远离所述第二非金属层的一面形成光刻胶层；

依次对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，以暴露出与所述第一区域对应的所述金属层以及与所述第三区域对应的所述金属层；

利用蚀刻工艺除去与所述第三区域对应的所述金属层、所述第二非金属层以及所述第一非金属层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述器件板还包括基底，以及依次层叠设置在所述基底上的栅极和栅极绝缘层，所述利用干法蚀刻工艺对与所述第一区域对应的所述第二非金属层进行处理，以除去与所述第一区域对应的所述第二非金属层的一部分的步骤之后，还包括：

形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极绝缘层远离所述基底的一面；

形成像素电极，所述像素电极设置在所述层间介质层远离所述基底的一面。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有机酸为柠檬酸、丁二酸、甲酸和乙酸中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一非金属层的材料为非晶硅材料，所述第二非金属层的材料为氮元素掺杂的非晶硅材料。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1至7任一项所述的阵列基板的制作方法制成。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求8所述的阵列基板。