[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板包括第一区域和第二区域，其中，第二区域位于第一区域的两侧，阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供一器件板，器件板至少包括依次层叠设置的第一非金属层、第二非金属层和金属层；利用含有有机酸的铜酸蚀刻液对与第一区域对应的金属层和第二非金属层进行处理，除去与第一区域对应的金属层以及除去与第一区域对应的第二非金属层，使得与第一区域对应的第一非金属层暴露；利用干法蚀刻工艺对与第一区域对应的第一非金属层进行处理，以除去与第一区域对应的第一非金属层的一部分，对应于第一区域的第一非金属层和对应于第二区域的第一非金属层和第二非金属层形成半导体层。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。为了实现高分辨率显示，作为显示面板中的主要驱动元件，阵列基板的制作方法尤为重要。

为了降低阵列基板的制作成本以及节省制作时间，阵列基板的制作由原来的5道掩模(Mask)工艺减少至4道掩模工艺。相较于5道掩模工艺，4道掩模工艺在形成源极和漏极时，蚀刻液会对源极和漏极下层的半导体层的沟道区造成一定的损害，在进行第二道干法蚀刻时，由于等离子体较为集中，导致半导体层的沟道区存在过蚀刻(Over etch)的现象。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，用于避免半导体层的沟道区存在过蚀刻的现象。

本申请实施例提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括第一区域和第二区域，其中，所述第二区域位于所述第一区域的两侧，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：

提供一器件板，所述器件板至少包括依次层叠设置的第一非金属层、第二非金属层和金属层；

利用含有有机酸的铜酸蚀刻液对与所述第一区域对应的所述金属层和所述第二非金属层进行处理，除去与所述第一区域对应的所述金属层以及除去与所述第一区域对应的所述第二非金属层，使得与所述第一区域对应的所述第一非金属层暴露；

利用干法蚀刻工艺对与所述第一区域对应的所述第一非金属层进行处理，以除去与所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分，对应于所述第一区域的所述第一非金属层和对应于所述第二区域的所述第一非金属层和所述第二非金属层形成半导体层。

在本申请实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述利用含有有机酸的铜酸蚀刻液对与所述第一区域对应的所述金属层和所述第二非金属层进行处理的步骤之后，还包括：

利用所述含有有机酸的铜酸蚀刻液蚀刻与所述第一区域对应的所述第一非金属层，以除去与所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分。

在本申请实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述利用干法蚀刻工艺对与所述第一区域对应的所述第一非金属层进行处理，以除去与所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分的步骤包括：

调整所述干法蚀刻工艺的制程腔室的制程压力和蚀刻时间，以除去所述第一区域对应的所述第一非金属层的一部分，其中，所述制程压力介于65帕至73帕之间，所述蚀刻时间介于30秒至80秒之间。

在本申请实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述提供一器件板的步骤之后，还包括：

在所述金属层远离所述第二非金属层的一面形成光刻胶层；

依次对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，以暴露出与所述第一区域对应的所述金属层以及与所述第三区域对应的所述金属层；

利用蚀刻工艺除去与所述第三区域对应的所述金属层、所述第二非金属层以及所述第一非金属层。