[发明专利]一种高速电路中的超结结构在审
| 申请号： | 202110372316.3 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112909080A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;鞠建宏 | 申请（专利权）人： | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 韩迎之 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 电路 中的 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
包括N型区和P型衬底；
N型区个数为n，n2，n为正整数，N型区设置在高速信号通道金属互联下方P型衬底上，N型区与P型衬底形成PN结。
2.根据权利要求1所述的一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
N型区为深N阱、N阱或带有N型埋层的深阱。
3.根据权利要求1所述的一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
N型区为条状N型区或单元状N型区。
4.根据权利要求3所述的一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
条状N型区与高速信号通道金属线呈正交方式排列。
5.根据权利要求4所述的一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
条状N型区的两端为有源区，连接偏置电压。
6.根据权利要求3所述的一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
单元状N型区在P型衬底上以一定间距间隔的单元状分布。
7.根据权利要求6所述的一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
单元状N型区通过与整片N型埋层连接，再由非高速信号通道位置引出有源区，连接偏置电压。
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种高速电路中的超结结构，其特征在于，
N型区的结深范围为1μm-7μm，宽度范围为0.2μm-5μm，间距范围为3μm-10μm。
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