[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上方且具有第一有源层、第一栅极和第一源/漏极的第一薄膜晶体管；以及，

位于所述衬底上方且具有第二有源层、第二栅极和第二源/漏极的第二薄膜晶体管；

其中，所述第一有源层与所述第二有源层同层且材料不同，所述第一栅极与所述第二栅极同层，且所述第一源/漏极与所述第二源/漏极同层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述衬底上且位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管下方的屏蔽层，以及位于所述衬底上且覆盖所述屏蔽层的缓冲层，所述屏蔽层通过第一导电柱与所述第一源/漏极和/或第二源/漏极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括堆叠设置的有机层和无机层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的材料为低温多晶硅，所述第二有源层的材料为氧化物。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述缓冲层上的第一栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层，以及位于所述第二栅极绝缘层上的第三栅极。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一源/漏极与所述第二源/漏极连接，所述第一导电柱位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的连接处。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括覆盖所述第一源/漏极和所述第二源/漏极的钝化层，位于所述钝化层上的平坦层，以及位于所述平坦层上的阳极层和像素定义层，所述阳极层通过第二导电柱与所述第一源/漏极和/或第二源/漏极电连接。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成具有第一有源层、第一栅极和第一源/漏极的第一薄膜晶体管，以及位于所述衬底上方且具有第二有源层、第二栅极和第二源/漏极的第二薄膜晶体管，所述第一有源层与所述第二有源层同层且材料不同，且所述第一栅极和所述第二栅极通过一次构图工艺形成，所述第一源/漏极和所述第二源/漏极通过一次构图工艺形成。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括：

形成位于所述衬底上且位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管下方的屏蔽层，所述屏蔽层通过第一导电柱与所述第一源/漏极和/或所述第二源/漏极电连接；

形成位于所述衬底上且覆盖所述屏蔽层的缓冲层。

10.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1-7任一项所述的阵列基板；

位于所述阵列基板上的有机发光层；

位于所述有机发光层上的阴极层；

位于所述阴极层上的薄膜封装层；

位于所述薄膜封装层上的触控层；

位于所述触控层上的偏光片；以及，

位于所述偏光片上的盖板。