[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板在审

专利信息
申请号: 202110372463.0 申请日: 2021-04-07
公开(公告)号: CN113193010A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 柯霖波 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司;武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杜蕾
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 oled 显示 面板
【说明书】:

发明提供一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板,包括衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管具有第一有源层、第一栅极和第一源/漏极,第二薄膜晶体管具有第二有源层、第二栅极和第二源/漏极。其中,第一有源层和第二有源层同层且材料不同,第一栅极与第二栅极同层,第一源/漏极与第二源/漏极同层,因此制备具有不同材料的有源层的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管只需要4个掩模板,掩模板的数量明显减少。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其设计一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示技术与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)不同,OLED无需背光灯,而是采用有机发光材料,当有电流通过时,这些有机发光材料就会发光。通过采用非常薄的有机材料涂层,使得OLED显示屏幕可以做得更轻更薄,且OLED显示屏幕可视角度更大,并且能够显著节省电能。

现有技术中,OLED的驱动背板采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)工艺制作的LTPS薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。但由于LTPS的漏电流较大,势必会造成显示装置的功耗增大。利用铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)或氧化锌(ZnO)等氧化物作为有源层替换部分LTPS制作OLED显示装置的薄膜晶体管,简称低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)技术,利用氧化物(Oxide)漏电流低的优势降低显示装置在显示时漏电的可能。

常规的LTPO显示器件,包含LTPS和氧化物两组TFT器件结构,该制程工艺存在制程复杂且光罩(掩模板)数量多的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板,旨在减少制备过程中使用掩模板的数量。

一方面,本发明提供一种阵列基板,包括:

衬底;

位于所述衬底上方且具有第一有源层、第一栅极和第一源/漏极的第一薄膜晶体管;以及,

位于所述衬底上方且具有第二有源层、第二栅极和第二源/漏极的第二薄膜晶体管;

其中,所述第一有源层与所述第二有源层同层且材料不同,所述第一栅极与所述第二栅极同层,且所述第一源/漏极与所述第二源/漏极同层。

进一步优选的,还包括位于所述衬底上且位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管下方的屏蔽层,以及位于所述衬底上且覆盖所述屏蔽层的缓冲层,所述屏蔽层通过第一导电柱与所述第一源/漏极和/或第二源/漏极电连接。

进一步优选的,所述衬底包括堆叠设置的有机层和无机层。

进一步优选的,所述第一有源层的材料为低温多晶硅,所述第二有源层的材料为氧化物。

进一步优选的,所述第一薄膜晶体管还包括位于所述缓冲层上的第一栅极绝缘层,位于所述第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层,以及位于所述第二栅极绝缘层上的第三栅极。

进一步优选的,所述第一源/漏极与所述第二源/漏极连接,所述第一导电柱位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的连接处。

进一步优选的,还包括覆盖所述第一源/漏极和所述第二源/漏极的钝化层,位于所述钝化层上的平坦层,以及位于所述平坦层上的阳极层和像素定义层,所述阳极层通过第二导电柱与所述第一源/漏极和/或第二源/漏极电连接。

另一方面,本发明提供一种阵列基板的制备方法,包括:

提供衬底;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司;武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司;武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110372463.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top