[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体结构；

于所述半导体结构的侧面形成第一介质层；

于所述第一介质层侧面形成第二介质层，所述第二介质层具有多个暴露所述第一介质层的针孔；

以所述针孔为通道，去除至少部分所述第一介质层，以形成空气间隔；

形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述半导体结构的顶面、所述空气间隔及所述第二介质层的侧面和顶面，所述第三介质层密封所述针孔，以在所述第二介质层与所述半导体结构的侧壁之间形成密闭的空气间隔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二介质层为氮化物层、碳化物层或者碳氮化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第三介质层为氮化物层、碳化物层或者碳氮化物层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第三介质层的致密度大于所述第二介质层的致密度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二介质层及所述第三介质层的方法为等离子体增强化学气相沉积法。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二介质层的步骤中，采用的工艺条件包括第一沉积温度、第一流量的第一源气体和第二流量的第二源气体；形成所述第三介质层的步骤中，采用的工艺条件包括第二沉积温度、第三流量的第一源气体和第四流量的第二源气体；其中，所述第一沉积温度小于所述第二沉积温度，所述第一流量小于所述第三流量，所述第二流量小于所述第四流量。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一沉积温度为200～300℃，所述第二沉积温度为300～450℃。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一源气体为二氯硅烷，所述第二源气体为氨气。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一流量为0.06～0.1slm，所述第二流量为0.5～1slm，所述第三流量为0.15～0.2slm，所述第四流量为1.5～2slm。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，提供半导体结构的步骤进一步包括如下步骤：

提供半导体衬底；

于所述半导体衬底上形成多条位线结构；

于所述位线结构顶面及侧面形成底层介质层，所述位线结构与所述底层介质层共同作为所述半导体结构。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述底层介质层为氮化物层、碳化物层或碳氮化物层。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，于所述第二介质层侧面形成第三介质层，所述第三介质层密封所述针孔，以在所述第二介质层与所述半导体结构的侧壁之间形成密闭的空气间隔的步骤之后，还包括如下步骤：

在相邻两个所述半导体结构之间形成着陆焊垫。

14.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构；

第二介质层，位于所述半导体结构的侧面，且在所述第二介质层与所述半导体结构侧面之间具有空气间隔，所述第二介质层具有多个朝向所述空气间隔的针孔；所述针孔用于形成所述空气间隔；

第三介质层，位于所述半导体结构的顶面、所述空气间隔及所述第二介质层的侧面及顶面，且所述第三介质层填充所述针孔，以使所述空气间隔密闭。