[发明专利]具有并联电阻器的高压器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

源极和漏极，设置在衬底中，所述源极具有第一导电类型，所述漏极具有所述第一导电类型；

第一介电组件，设置在所述源极和所述漏极之间的所述衬底的表面上；

漂移区，设置在所述衬底中，其中，所述漂移区具有所述第一导电类型，所述第一介电组件在所述漂移区上并且所述漂移区超出所述第一介电组件的边缘；

第一掺杂区，具有第二导电类型并且设置在所述第一介电组件下方的所述漂移区内，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

第二掺杂区，具有所述第二导电类型并且设置在所述漂移区内，其中，所述第二掺杂区至少部分地围绕所述源极和所述漏极中的一个；

电阻器，直接设置在所述第一介电组件上；以及

栅极，在所述第一介电组件的所述边缘处直接设置在所述第一介电组件的部分和所述漂移区的部分上，其中，所述电阻器的一端和另一端分别电连接至设置于所述漂移区的相对两侧处的所述栅极和所述漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区彼此相交以形成连续的掺杂的延伸区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区不连续，从而使得所述漂移区的部分延伸在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二介电组件，设置在所述衬底内并且与所述第二掺杂区交界。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

掺杂的隔离区，具有所述第二导电类型，设置在所述衬底中并且与所述第二介电组件交界。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器是电浮动的。

7.一种半导体器件，包括：

晶体管，具有栅极、源极和漏极，其中：

所述源极和所述漏极形成在掺杂的衬底中并且通过所述衬底的漂移区分隔开，其中，所述漂移区包括P掺杂部分和N掺杂部分；

所述栅极形成在所述源极和所述漏极之间；并且

所述晶体管配置为处理至少几百伏的高压条件；

介电结构，形成在所述晶体管的所述源极和所述漏极之间，所述介电结构在所述漂移区上并且所述漂移区超出所述介电结构的边缘，所述介电结构突入所述衬底和从所述衬底突出，其中，所述介电结构的不同部分具有不均匀的厚度，所述栅极在所述介电结构的所述边缘处直接设置在所述介电结构的部分和所述漂移区的部分上；以及

电阻器，形成在所述介电结构上方，所述电阻器具有均匀地间隔开的多个卷绕片段；

其中，所述电阻器的一端和另一端分别电连接至设置于所述漂移区的相对两侧处的所述栅极和所述漏极。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，当在所述栅极处施加电压时，所述晶体管配置为以反相模式运行。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：

所述P掺杂部分包括P主体延伸件，所述P主体延伸件电连接至所述源极并且在所述介电结构下方横向突出；以及

所述N掺杂部分包括n阱，所述n阱位于所述介电结构和所述P主体延伸件之间。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成漂移区，其中，所述漂移区包括具有不同导电类型的掺杂区；

在所述漂移区上方形成介电隔离结构，并且所述漂移区超出所述介电隔离结构的边缘；

在所述介电隔离结构的所述边缘处在所述介电隔离结构的部分和所述漂移区的部分上方形成晶体管的栅极；

在所述介电隔离结构上方形成电阻器器件，其中，所述电阻器器件包括多个卷绕片段；以及

在所述衬底中形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极通过所述漂移区和所述介电隔离结构分隔开，其中，所述电阻器器件和所述栅极设置在所述源极和所述漏极之间，并且其中，所述电阻器的一端和另一端分别电连接至设置于所述漂移区的相对两侧处的所述栅极和所述漏极。