[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；

位于所述衬底上方的介质层，所述介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述介质层；

位于所述介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，所述元胞区金属电极填充所述第一类接触孔，所述终端区金属电极填充所述第二类接触孔；

位于所述元胞区金属电极和终端区金属电极上方的钝化层，所述钝化层暴露出部分所述元胞区金属电极和部分所述介质层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：阻挡层，所述阻挡层位于所述介质层和所述钝化层之间，所述阻挡层覆盖所述介质层，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述阻挡层，所述钝化层暴露出部分所述阻挡层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述第二钝化层下方，所述第一钝化层和所述第二钝化层的侧壁齐平。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层位于所述第二钝化层下方，所述第二钝化层覆盖所述第一钝化层的侧壁。

5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，所述第一钝化层的材料包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中一种材料或多种材料的组合。

6.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，所述第一钝化层的厚度包括至

7.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，所述第二钝化层的材料包括聚酰亚胺。

8.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，所述第二钝化层的厚度包括2至15um。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的材料包括氮化硅和氮氧化硅中一种材料或多种材料组合。

10.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的材料包括：Ti、TiN、W、Al、Cu、Pt和Co中一种材料或多种材料的组合。

11.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阻挡层的厚度包括至

12.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，金属层与所述阻挡层的刻蚀选择比高于所述金属层与所述介质层的刻蚀选择比，所述钝化层与所述阻挡层的刻蚀选择比高于所述钝化层与所述介质层的刻蚀选择比。

13.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括划片道区域，所述终端区金属电极的侧壁与所述划片道区域的侧壁之间的距离大于等于30um；所述终端区金属电极的侧壁与所述第一钝化层的侧壁之间的距离大于等于5um。

14.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二钝化层的侧壁与所述第一钝化层的侧壁之间的距离大于等于5um。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述元胞器件结构包括P型或N型掺杂、电容、电阻、金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、集成电路、闪存、互补金属氧化物半导体、双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体、微机电系统和肖特基器件。