[发明专利]一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法

权利要求书

1.一种复合衬底制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供砷化镓基底，其中，所述砷化镓基底具有高电子迁移率晶体管区域、异质结双极晶体管区域和键合区域；

在所述砷化镓基底上外延生长，依次形成高电子迁移率晶体管外延层结构和异质结双极晶体管外延层结构；

在所述高电子迁移率晶体管区域刻蚀所述异质结双极晶体管外延层结构以露出所述高电子迁移率晶体管外延层结构，所述高电子迁移率晶体管外延层结构位于所述高电子迁移率晶体管区域、所述异质结双极晶体管区域和所述键合区域，所述异质结双极晶体管外延层结构位于所述异质结双极晶体管区域和所述键合区域；

所述高电子迁移率晶体管区域的对应外延层结构用于形成高电子迁移率晶体管器件结构，所述异质结双极晶体管区域的对应外延层结构用于形成异质结双极晶体管器件结构；

在所述异质结双极晶体管外延层结构上表面的键合区域沉积结合层；

在所述结合层上通过键合形成键合压电层。

2.如权利要求1所述的复合衬底制备方法，其特征在于，所述结合层为硅层、氧化硅层或尖晶石。

3.如权利要求1所述的复合衬底制备方法，其特征在于，所述键合压电层为钽酸锂层或铌酸锂层。

4.如权利要求1所述的复合衬底制备方法，其特征在于，所述在所述结合层上通过键合形成键合压电层之后，所述方法还包括：

减薄所述键合压电层以形成目标键合压电层。

5.如权利要求4所述的复合衬底制备方法，其特征在于，所述减薄所述键合压电层以形成目标键合压电层包括：通过化学机械抛光减薄所述键合压电层以形成目标键合压电层。

6.如权利要求4所述的复合衬底制备方法，其特征在于，所述目标键合压电层的厚度为1μm至3μm。

7.一种复合衬底，其特征在于，包括砷化镓基底，所述砷化镓基底具有高电子迁移率晶体管区域、异质结双极晶体管区域和键合区域；在所述砷化镓基底依次设置有高电子迁移率晶体管外延层结构和异质结双极晶体管外延层结构，在所述高电子迁移率晶体管区域露出所述高电子迁移率晶体管外延层结构，所述高电子迁移率晶体管区域的对应外延层结构用于形成高电子迁移率晶体管器件结构，所述异质结双极晶体管区域的对应外延层结构用于形成异质结双极晶体管器件结构，在所述异质结双极晶体管外延层结构上表面的键合区域依次设置结合层和键合压电层。

8.一种射频集成芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一种复合衬底，所述复合衬底采用如权利要求1至6任一项所述的复合衬底制备方法制备；

在所述复合衬底的高电子迁移率晶体管区域刻蚀高电子迁移率晶体管外延层结构并沉积金属电极以形成高电子迁移率晶体管器件结构；

在所述复合衬底的异质结双极晶体管区域刻蚀异质结双极晶体管外延层结构并沉积金属电极以形成异质结双极晶体管器件结构；

在所述复合衬底的键合区域刻蚀键合压电层以形成压电滤波器结构；

在所述异质结双极晶体管器件结构和所述高电子迁移率晶体管器件结构之间形成有第一离子注入隔离区。

9.如权利要求8所述的射频集成芯片制备方法，其特征在于，所述复合衬底还包括电感区域，在所述电感区域露出所述高电子迁移率晶体管外延层结构，在形成高电子迁移率晶体管器件结构、异质结双极晶体管器件结构和压电滤波器结构之后，所述方法还包括：

对所述高电子迁移率晶体管器件结构、所述异质结双极晶体管器件结构和所述压电滤波器结构进行蜡封；

对所述电感区域露出有所述高电子迁移率晶体管外延层结构通过离子注入形成第二离子注入隔离区；

在所述第二离子注入隔离区上还形成电感器结构。