[发明专利]一种晶圆级层压塑封圆片的裁切成型方法

说明书

本发明涉及一种晶圆级层压塑封圆片的裁切成型方法，属于半导体封装的治具技术领域。其裁切平台包括裁切刀组（50）、底盘（70）、旋转电机（80）和膜屑抽吸系统（90），底盘（70）通过真空吸住塑封圆片（20），其裁切刀组（50）的裁刀Ⅰ（51）、裁刀Ⅱ（52）、裁刀Ⅲ（53）、裁刀Ⅳ（54）和锉刀（58）对塑封圆片（20）依次作业，完成对塑封圆片（20）的边缘修整及其对位缺口（13）的修整。本发明对完成层压工艺的塑封圆片的边缘进行修整和约束，形成标准圆片的形貌。

技术领域

本发明涉及一种晶圆级层压塑封圆片的裁切成型方法，属于半导体封装的治具技术领域。

背景技术

随着半导体产业的发展，晶圆级封装(圆片WLP)作为一种典型的低成本、高效率的封装方式，国内外有大量成熟的产线，但传统晶圆级封装方式也遇到了一些限制因素。在塑封过程中，往往会采用层压工艺，在芯片的四周、背面甚至正面利用卷曲的层状塑封料（sheet mold molding compound），通过整平完成工艺包裹塑封料，且塑封料一般会作为载板，继续后续的凸块工艺。在这个制造的过程中，圆片的边缘不受约束，往往会变形，不再是标准圆片的形貌，影响了后续凸块制作。

需要对圆片的边缘进行修整和约束，形成标准圆片的形貌，从而保证凸块制作过程中边缘形貌不会对凸块的制作过程造成影响。

发明内容

基于此，有必要提供一种晶圆级层压塑封圆片的裁切成型方法，在制造的过程中，对完成层压工艺的塑封圆片的边缘进行修整和约束，形成标准圆片的形貌。

本发明的目的是这样实现的：

本发明一种晶圆级层压塑封圆片的裁切成型方法，其工艺步骤如下：

步骤一：准备已经通过倒装工艺完成扇出封装的圆片，所述圆片设有对位缺口，所述对位缺口呈V槽，V槽的角度A不大于2°；

步骤二：对圆片表面进行预处理，这些预处理方式包括但不限于等离子清洗、烘烤或者水洗；

步骤三：选择合适厚度的层状塑封料膜，进行裁剪，形成与圆片等大的圆形，与圆片的正面进行贴合，形成塑封圆片；

步骤四：通过层压设备，在密闭空间内，设定合适的温度，用气囊和/或金属板对塑封圆片进行平整化处理，其塑封料膜的塑封料溢出塑封圆片的边缘；

步骤五：准备裁切平台，将塑封圆片通过裁切平台的底盘通过真空吸住，其裁切刀组的裁刀Ⅰ、裁刀Ⅱ、裁刀Ⅲ、裁刀Ⅳ处于初始状态，锉刀的位置对准计划修整的塑封圆片的对位缺口的中心线；

步骤六：所述裁刀Ⅰ、裁刀Ⅱ、裁刀Ⅲ、裁刀Ⅳ和锉刀依次作业：裁刀Ⅰ和裁刀Ⅳ对塑封圆片进行边缘修整，裁刀Ⅱ和裁刀Ⅲ对塑封圆片的对位缺口进行边缘修整，锉刀对塑封圆片的对位缺口进行修整；所述裁刀Ⅰ、裁刀Ⅱ、裁刀Ⅲ和裁刀Ⅳ的刀尖依次沿着圆片边缘的切线方向行进；

步骤七：将裁切完成的塑封圆片从裁切平台取下并传输到下一个工艺站点。

进一步地，所述圆片从上往下依次包括按照设计条件等距离排布的复数个晶片、固定晶片的粘性材料以及载体圆片。

进一步地，步骤三中，还包括撕除所述塑封料膜的上离型膜，所述塑封料膜包括上离型膜、塑封料层和下离型膜，并于塑封料层对应的上表面形成上结合面、于塑封料层对应的下表面形成下结合面，塑封料层的材质为环氧树脂或环氧树脂与填料的混合物，所述上离型膜和下离型膜是ABF膜；所述塑封料膜通过其上结合面与圆片的正面结合。

进一步地，步骤六中，所述裁切平台包括裁切刀组、底盘、旋转电机和膜屑抽吸系统，所述底盘通过真空吸住塑封圆片，所述塑封圆片的正面朝上，并使其在底盘作用下原位旋转；所述旋转电机驱动裁切平台的底盘进行顺时针或逆时针旋转；所述裁切刀组设置在底盘的一侧，其从左到右依次排布裁刀Ⅰ、裁刀Ⅱ、锉刀、裁刀Ⅲ和裁刀Ⅳ，所述裁刀Ⅱ、裁刀Ⅲ以锉刀为中心线对称，所述裁刀Ⅰ、裁刀Ⅳ也以锉刀为中心线对称；所述裁刀Ⅰ、裁刀Ⅱ、裁刀Ⅲ、裁刀Ⅳ及锉刀58的刀尖成弧状排布，环绕底盘围成弧形，该弧形的半径为R3；