[发明专利]压电换能器的制备方法

权利要求书

1.一种压电换能器的制备方法，其特征在于，包括：

在压电晶圆上形成与压电换能器的预设方向平行或垂直的第一标记；所述预设方向是指后续形成的压电换能器的器件方向；

在承载晶圆上形成与承载晶圆的切割方向平行或垂直的第二标记，所述第二标记和所述第一标记的形状相同；

将所述第一标记和所述第二标记对齐后，键合所述压电晶圆和所述承载晶圆，形成工艺晶圆，所述工艺晶圆具有压电晶圆的第一表面用于形成所述压电换能器。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一标记包括所述压电晶圆的第一主定位边，所述第二标记包括所述承载晶圆的第二主定位边，所述在压电晶圆上形成与压电换能器的预设方向平行或垂直的第一标记的步骤包括：

沿第一方向研磨或切割所述压电晶圆，形成第一主定位边，所述第一方向平行或垂直于所述预设方向；

所述在承载晶圆上形成与承载晶圆的切割方向平行或垂直的第二标记的步骤包括：

沿第二方向研磨或切割所述承载晶圆，形成第二主定位边，所述第二方向平行或垂直于所述切割方向。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述预设方向与所述压电晶圆的晶体轴方向之间具有第一预设角，所述切割方向与所述承载晶圆的晶体轴方向之间具有第二预设角。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设角为沿所述预设方向逆时针旋转至所述压电晶圆的晶体轴方向的角度，所述第二预设角沿为所述切割方向逆时针旋转至所述承载晶圆的晶体轴方向的角度。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设角为沿所述预设方向顺时针旋转至所述压电晶圆的晶体轴方向的角度，所述第二预设角为沿所述切割方向顺时针旋转至所述承载晶圆的晶体轴方向的角度。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设角包括0度、90度，和/或所述第二预设角包括0度、90度。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述压电晶圆还包括与所述第一主定位边垂直的第一附定位边，所述承载晶圆还包括与所述第二主定位边垂直的第二附定位边。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一标记包括设于所述压电晶圆上的第一标记图形，所述第二标记包括设于所述承载晶圆上的第二标记图形；所述在压电晶圆上形成与压电换能器的预设方向平行或垂直的第一标记的步骤包括：

通过光刻、刻蚀工艺在所述压电晶圆上形成第一标记图形，所述第一标记图形的方向与所述预设方向平行或垂直；

所述在承载晶圆上形成与承载晶圆的切割方向平行或垂直的第二标记的步骤包括：

通过光刻、刻蚀工艺在所述承载晶圆上形成第二标记图形，所述第二标记图形的方向与所述切割方向平行或垂直。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述通过光刻、刻蚀工艺在所述压电晶圆上形成第一标记图形的步骤包括：

在所述压电晶圆上形成第一标记膜层；

对所述第一标记膜层进行光刻、刻蚀工艺后，得到第一标记图形；

所述通过光刻、刻蚀工艺在所述承载晶圆上形成第二标记图形的步骤包括：

在所述承载晶圆上形成第二标记膜层；

对所述第二标记膜层进行光刻、刻蚀工艺后，得到第二标记图形；

其中，所述第一标记膜层和所述第二标记膜层至少包括二氧化硅膜层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一标记图形由所述第一标记膜层构成，所述第二标记图形为开设于所述第二标记膜层中的凹槽；

或者所述第一标记图形为开设于所述第一标记膜层中的凹槽，所述第二标记图形由所述第二标记膜层构成。