[发明专利]用于半导体器件的钝化层及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

超厚金属(UTM)结构；以及

钝化层，所述钝化层包括：

第一钝化氧化物，包括非偏置膜和第一偏置膜，

其中所述非偏置膜在所述超厚金属结构的部分上且在所述超厚金属结构形成于其上的层的部分上，且所述第一偏置膜在所述非偏置膜上；

第二钝化氧化物，由第二偏置膜组成，所述第二偏置膜在所述第一偏置膜上；以及

第三钝化氧化物，由第三偏置膜组成，所述第三偏置膜在所述第二偏置膜上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述超厚金属结构的邻近部分之间的所述第一钝化氧化物、所述第二钝化氧化物以及所述第三钝化氧化物的总厚度大于所述超厚金属结构的给定部分的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述钝化层在所述超厚金属结构的邻近部分之间的区域中具有至少大致110°的轮廓角，其中所述轮廓角是所述超厚金属结构的所述邻近部分之间的间隙的大致中间上方的所述钝化层的表面的一部分与所述超厚金属结构的所述邻近部分中的一个的边缘上方的所述钝化层的表面的一部分之间的角度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三钝化氧化物的厚度小于或等于所述超厚金属结构的邻近部分之间的区域中的所述第一钝化氧化物的厚度。

5.一种用于半导体器件的钝化层及其制造的方法，包括：

在半导体器件的超厚金属(UTM)结构上且在所述超厚金属结构形成于其上的所述半导体器件的层的部分上形成非偏置膜；

在所述非偏置膜上形成第一偏置膜；

在所述第一偏置膜上形成第二偏置膜；以及

在所述第二偏置膜上形成第三偏置膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述超厚金属结构的邻近部分之间的区域中的所述第二偏置膜的表面的高度高于所述超厚金属结构的给定部分的高度的中点。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述超厚金属结构的邻近部分之间的区域中的所述第三偏置膜的表面的高度大于所述超厚金属结构的给定部分的高度。

8.一种半导体器件，包括：

钝化层，包括：

第一钝化氧化物，由非偏置膜和第一偏置膜组成，

其中所述非偏置膜在超厚金属(UTM)结构的一部分上且在邻近于所述超厚金属结构的所述部分的区域中的另一层的一部分上；

第二钝化氧化物，由第二偏置膜组成，所述第二偏置膜在所述第一偏置膜上；以及

第三钝化氧化物，由第三偏置膜组成，所述第三偏置膜在所述第二偏置膜上，

其中另一个层的所述部分上方的区域中的所述第二钝化氧化物与所述第三钝化氧化物之间的界面的高度大于所述超厚金属结构的所述部分的高度的50％。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述超厚金属结构的所述部分的高度中的中点与所述另一个层的所述部分上方的所述区域中的所述第二钝化氧化物的厚度的中点互相匹配。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述另一个层的所述部分上方的所述区域中的所述第二钝化氧化物的厚度大于所述另一个层的所述部分上方的所述区域中的所述第一钝化氧化物的厚度且大于所述另一个层的所述部分上方的所述区域中的所述第三钝化氧化物的厚度。