[发明专利]用于半导体器件的钝化层及其制造方法在审

申请号：	202110376709.1	申请日：	2021-04-08
公开（公告）号：	CN114551370A	公开（公告）日：	2022-05-27
发明（设计）人：	刘力群;王俊棠;王志弘;李庆峰;叶玉隆	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L23/31	分类号：	H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司：	南京正联知识产权代理有限公司 32243	代理人：	顾伯兴
地址：	中国台湾新竹科***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	用于半导体器件钝化及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

一种半导体器件，包括超厚金属(UTM)结构。半导体器件包括钝化层，钝化层包括第一钝化氧化物。第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在超厚金属结构的部分的上方且在超厚金属结构形成于其上的层的部分的上方，且第一偏置膜在非偏置膜上。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上。

技术领域

本公开的实施例涉及一种用于半导体器件的钝化层及其制造的方法。

背景技术

半导体器件可包括钝化层。钝化层可用于保护半导体器件的其它(下部)层或元件免于损害。钝化层可例如在半导体器件的金属化制造流程完成之后形成。

发明内容

本公开中所描述的一些实施例提供一种半导体器件。半导体器件包括超厚金属(UTM)结构。半导体器件包括钝化层，所述钝化层包括第一钝化氧化物，所述第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在UTM结构的部分上且在UTM结构形成于其上的层的部分上，且第一偏置膜在非偏置膜上。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上。

本公开中所描述的一些实施例提供一种用于半导体器件的钝化层及其制造的方法。所述方法包括在半导体器件的UTM结构上且在UTM结构形成于其上的半导体器件的层的部分上形成非偏置膜。所述方法包括在非偏置膜上形成第一偏置膜。所述方法包括在第一偏置膜上形成第二偏置膜。所述方法包括在第二偏置膜上形成第三偏置膜。

本公开中所描述的一些实施例提供一种半导体器件。半导体器件包括钝化层，所述钝化层包括由非偏置膜和第一偏置膜组成的第一钝化氧化物，其中非偏置膜在UTM结构的一部分上方且在邻近于UTM结构的部分的区域中的另一层的一部分上方。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上，其中另一个层的部分上方的区域中的第二钝化氧化物与第三钝化氧化物之间的界面的高度是UTM结构的部分的高度的至少50％。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是可在其中实施本公开中所描述的系统和/或方法的实例环境的图式。

图2是本公开中所描述的实例半导体器件的图式。

图3A到图3E是形成本公开中所描述的半导体器件的实例的图式。

图4是包括本公开中所描述的钝化层的实际半导体器件的横截面的图像的一部分。

图5是图1的一或多个器件的实例组件的图式。

图6是与形成本公开中所描述的半导体器件相关的实例工艺的流程图。

附图标号说明

100：环境；

102：沉积工具；

104：曝光工具；